正负半周两个可控硅触发电路原理图
正负半周两个可控硅触发电路原理图
电路主要由一个同步变压套器b1 、两个脉冲变压器b2 、b3 ,两个双电压比较器lm393 (或一个四电压比
较器lm339) 和两个三极管( t1 、t2) 组成,如图1 所示.
同步变压器b1 副边的同名端和异名端分别接电压比较器ic1 、ic2 的同相输入端. 副边的中性点接电
压比较器ic1 、ic2 反相输入端,电压如图2 (va) . 因而,两电压比较器分别在正、负半周输入正向电压,电压
比较器lm393的特性是,当v+ - v- > 0. 5mv 时,输出端即为高电平,因此,每当电源电压过零后以微秒计
的时间内,输出端电位由低电平跃变为高电平. 两电压比较器ic1 、ic2 的输出端分别经电阻r1 、r2 与电容
器c1 、c2 相联接,并通过r3 、r4 与9v 电源相联接,当b 点电位为低电平时,电容器c1 通过r1 和电压比较
器ic1 放电(lm393可吸入< 16ma 的电流) . 当b 点电位为高电平时,电源通过r3 对电容c1 充电. b 点b′
2004 年9 月
第19 卷第5 期
渭南师范学院学报
journal of weinan teachers college
sept . 2004
vol. 19 no. 5
© 1995-2006 tsinghua tongfang optical disc co., ltd. all rights reserved.
点和c1 上的电压如图2 (vb) 、(vc)
电容器c1 与电压比较器ic3 的正端相接、ic3 的负端与随温度变化的电压控制器相接. 当电容器c1
上的电压低于温控电压vt 时, ic3 输出低电平,当电容器c1 上的电压高于温控电压vt 时, ic3 输出高电
平. 即ic3 输出的矩形波宽度随温度变化而变化,温度越高矩形波越窄,或说温度越高ic3 输出高电平时
间越推迟,矩形波如图2 (vd) .
电压比较器ic3 输出端通过r7 接三极管t1 的基极,当ic3 输出为低电平时,三极管的基极电位不能
使三极管导通,t1 处于截止状态,当ic3 输出为高电平时,t1 的基极电位提高,使t1 由截止状态变为导通
状态,ve 波形如图2 (ve) . t1 导通后,电容器c3 通过t1 集电极放电;并与经r8 的电源电流共同组成集电
极一发射极电流,这一电流通过脉冲变压器b2 初级,在b2 次级产生感应电势,vg 波形如图2 (vg) . 此感应
电势使可控硅触发导通,达到控温目的. 同理,在电源负半周三极管t2 导通,电容器c4 通过t2 集电极放
电;并与经r11的电源电流共同组成集电极一发射极电流,这一电流通过脉冲变压器b3 初级,在b3 次级产
生感应电势,从而可达到与b2 工作相同的效果.
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的时间内,输出端电位由低电平跃变为高电平. 两电压比较器ic1 、ic2 的输出端分别经电阻r1 、r2 与电容
器c1 、c2 相联接,并通过r3 、r4 与9v 电源相联接,当b 点电位为低电平时,电容器c1 通过r1 和电压比较
器ic1 放电(lm393可吸入< 16ma 的电流) . 当b 点电位为高电平时,电源通过r3 对电容c1 充电. b 点b′
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点和c1 上的电压如图2 (vb) 、(vc)
电容器c1 与电压比较器ic3 的正端相接、ic3 的负端与随温度变化的电压控制器相接. 当电容器c1
上的电压低于温控电压vt 时, ic3 输出低电平,当电容器c1 上的电压高于温控电压vt 时, ic3 输出高电
平. 即ic3 输出的矩形波宽度随温度变化而变化,温度越高矩形波越窄,或说温度越高ic3 输出高电平时
间越推迟,矩形波如图2 (vd) .
电压比较器ic3 输出端通过r7 接三极管t1 的基极,当ic3 输出为低电平时,三极管的基极电位不能
使三极管导通,t1 处于截止状态,当ic3 输出为高电平时,t1 的基极电位提高,使t1 由截止状态变为导通
状态,ve 波形如图2 (ve) . t1 导通后,电容器c3 通过t1 集电极放电;并与经r8 的电源电流共同组成集电
极一发射极电流,这一电流通过脉冲变压器b2 初级,在b2 次级产生感应电势,vg 波形如图2 (vg) . 此感应
电势使可控硅触发导通,达到控温目的. 同理,在电源负半周三极管t2 导通,电容器c4 通过t2 集电极放
电;并与经r11的电源电流共同组成集电极一发射极电流,这一电流通过脉冲变压器b3 初级,在b3 次级产
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