Micro LED产业化面临哪些技术挑战
2022年8月9日，集邦咨询第三代半导体前沿趋势研讨会圆满闭幕。此次大会主要讨论gan/sic等第三代半导体材料的应用趋势和优势，以及第三代半导体行业的发展现状、面临的瓶颈以及技术突破的方向等。
晶能光电此次由外延工艺经理周名兵分享了以《硅基氮化镓micro led外延与器件研究进展》为主题的报告。报告指出micro led作为“终极显示技术”其在未来将拥有千亿级的市场，将在要求高分辨率、高亮度、高对比度的ar、hud、车用照明和显示、可穿戴设备等领域得到广泛应用。
目前micro led产业化仍面临着关键技术和成本的挑战，包括红光光效、巨量转移、晶圆键合、及全彩化工艺，迫切需要提升良率，并优化检测和修复技术。
从产业化角度，利用大尺寸硅衬底gan技术制备micro led，具有低成本、高良率、无损去硅、低翘曲、cmos兼容性等诸多优势。
8英寸的衬底相比于4英寸的衬底，单位衬底面积的micro led芯片产出增加了25%。利用8英寸硅衬底制备microled，每个显示模组的bom成本只有4英寸蓝宝石方案上的30%（含外延、芯片和cmos）。
micro led产业化要求高良率的类ic制程，8英寸及以上的硅衬底gan技术是实现microled制备和硅ic工艺兼容的重要途径。
红光光效是micro led技术面临的关键瓶颈之一，现有的alingap红光led材料力学性能差，侧壁效应使eqe急剧下降。ingan基红光microled被认为是突破红光瓶颈的重要解决方案。晶能光电在ingan红光led的开发上取得初步成果。在36mil芯片样品上，1a/cm2的电流密度下eqe为2.7%，峰值波长670nm，发光半高宽小于60nm.
晶能光电拥有领先的硅衬底led技术，是拥有大规模生产制造能力的硅衬底led生产企业。公司的硅衬底led产业链覆盖外延、芯片、器件、模组，并开发了高光效、高良率、大尺寸的近紫外、红、绿、蓝硅衬底gan基led外延片，并成功制备了三基色ganmicro led显示阵列。
未来晶能光电将发挥硅衬底gan技术及完整产业链的优势，与行业同仁通力合作打破材料和技术的瓶颈，共同推动micro led产业的发展。
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