MOS管怎么用?从认识米勒效应、开关损耗、参数匹配及选型开始

要比喻的话,三极管像绿皮车,mos管像高铁。
mos管即场效应管(mosfet),属于压控型,是一种应用非常广泛的功率型开关元件,在开关电源、逆变器、直流电机驱动器等设备中很常见,是电力电子的核心元件。
mos管有n沟道和p沟道之分,n沟道相当于npn的三极管;p沟道相当于pnp的三极管。实际设计及应用中,n沟道mos管占绝大多数,所以下面以n沟道mos管为例进行讲解(如图1中q3,栅极-g;漏极-d;源极-s)。
mos管的使用通常可以分为两种情形:
①参与普通的逻辑控制,和三极管一样作为开关管使用,电流可达数安培,如图1为mos管驱动直流电机电路。r6下拉电阻是必须的(取值一般10--20k),原理和npn三极管下拉电阻一样。
此类应用的mos管vgs电压大于门槛电压4.5v(又叫平台电压)即可正常使用。小功率的逻辑控制本人还是选择使用三极管。
图1:逻辑控制mos管
②参与pwm控制;桥式驱动电路以及开关电源电路等应用广泛。
如图2为有刷直流电机桥式驱动电路,g1、g2、g3、g4为推挽pwm控制,vs1、vs2接电机,可实现大功率直流电机调速,正反转控制。此类应用的mos管vgs电压大于10v,通常使用12v(为保证导通深度,pwm的幅值为12v)。且g极的电阻必须是小电阻通常取4.7--100ω,与电阻并联一个反向二极管,目的是保证mos管的关断速度比导通速度快,防止上桥与下桥直通短路。
图2:有刷直流电机桥式驱动电路
彻底了解mos管,我们应从以下两点入手:
①什么是米勒效应,米勒效应下为什么会有vgs平台电压;
②mos管的开关损耗、导通损耗、续流损耗。
如图3所示,g极与d极存在极间电容cgd,g极与s极存在极间电容cgs,当g极有高电平信号时,电容cgs充电到门槛电压4.5v时,ds极开始导通,d极电平下降趋近于0v,此过程电容cgd开始充电,使g极电压在短时间内保持在4.5v,这就是米勒效应。
图3:米勒效应测试原理图
该门槛电压vgs就是mos管的平台电压;该平台电压的在mos管开通和关断期间都存在,其宽度与g极电阻有直接的关系。
如图4为g极电阻为10ω时mos管开通的波形,红色代表vgs的电压波形,蓝色代表vds的电压波形。平台电压的宽度很窄(黄色箭头),在平台电压下ds极间是变阻区,vds很窄(绿色箭头)。
图4:g极电阻为10ω,vgs与vds波形(开通)
如图5为g极电阻为100ω时mos管开通的波形,平台电压的宽度变宽明显(黄色箭头),在平台电压下ds极间是变阻区,vds变缓(绿色箭头)。
图5:g极电阻为100ω,vgs与vds波形(开通)
如图6为g极电阻为200ω时mos管开通的波形,平台电压的宽度变宽更明显(黄色箭头),在平台电压下ds极间是变阻区,vds变缓更大(绿色箭头)。
图6:g极电阻为200ω,vgs与vds波形(开通)
如图7为g极电阻为200ω时mos管关断的波形,同样有平台电压的存在。
图7:vgs与vds波形(关断)
mos管的损耗意味着发热,要使mos管正常工作,必须了解各种损耗。如图8:
开关损耗分为mos管的开通损耗和关断损耗,g极电阻的大小决定了开通和关断的速度,该电阻越大开关损耗越大;
导通损耗取决于ds极间导通后的等效电阻rds(on),该电阻越大导通损耗越大;
续流损耗指的是s极到d极间的正向二极管的损耗,该损耗通常不考虑(本文略)。
图8:mos管的主要损耗
如图9,对mos管的选型,主要参数都会在前面直接给出(红框内),ds极耐压(vdss)通常选择工作电压的1.5--2倍;漏极电流(id)通常选择工作电流的5--10倍;rds(on)尽量越小越好。另外g极的vgs电压范围是±20v以内,几乎所有的mos管都如此。
图9:mos管参数
所以,mos管的开关损耗跟设计有直接的关系,缩短导通和关断时间可有效降低开关损耗;最后,驱动mos管的推挽电路很多都已集成在驱动芯片内部,输出能力很强,通常电流可达1a。
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