半导体制造之等离子工艺

玻尔兹曼分布
热平衡等离子体中,电子和离子的能量服从玻尔兹曼分布(见下图)。电容耦合型等离子体源的平均电子能量为2〜3ev。等离子体中离子能量主要取决于反应室的温度,是200~400℃或0.04〜0.06ev。
从下图中,可以看出大多数电子的能量平均值为2〜3ev,很少有电子具有离化所需的大约15ev能量。这说明了为什么平行板等离子体源的离化速率很低。
一个问题:如果等离子体源中的电子温度为1kev(大约为11600000t,相当于太阳核心温度),请问
这个等离子体的游离化速率是多少?
答:大约100%。
离子轰击
由于电子的移动速度比离子快得多,所以当等离子体产生后,任何接近等离子体的东西(包括反应室墙壁和电极)都会带负电。带负电的电极排斥带负电的电子而吸引带正电的离子,因此电极附近的离子比电子多。
由正电荷与负电荷的差值在电极附近形成的电场称为鞘层电位(见下图)。由于该区的电子较少,所以也较少发生激发-松弛碰撞,该区内的发光不如大量等离子体那样强烈。可以在电极附近观察到一个黑暗区域。鞘层电位将离子加速向电极移动,并造成离子轰击。将一片晶圆放在电极上方,就可利用鞘层电位形成的离子加速使晶圆表面受到轰击。
离子轰击是等离子体的一个重要特征。任何接近等离子体的材料都会受到离子轰击,这将影响刻蚀的速率、选择性和轮廓,并且影响沉积速率和沉积薄膜应力。
离子轰击有两个参数:离子的能量和离子的流量。离子能量和外部的功率供给、反应室压力、电极间的间距及工艺过程所使用的气体有关。离子流量和等离子体的密度有关,也取决于外部的功率供给、反应室压力、电极间的间距及反应室的气体。
射频等离子体系统中,射频频率会影响离子的能量。例如在13.56mhz高频下,电子将吸收多数能量而离子保持“冷冻静止”。频率较低(如350khz)时,虽然大多数能量仍由电子吸收,但在变化缓慢的交流电场中,离子却有机会从射频功率中获得能量。如果用以前所讲的两个车子比较,这种情况就如同增加每个停车标志之间的距离(从只有一个路口的距离改为1km的距离)。这样虽然摩托车能够快速加速或停止并在平均速度上占优势,但因为这种“道路”可使卡车达到高速并将速度维持一段时间,因此卡车的平均速度也会大幅增加。
一个问题:为什么13.56mhz是射频系统中最常使用的频率?
答:因为各国政府必须遵守国际条约管制射频的使用,避免不同应用之间的相互干扰。如果射频干扰到空中的交通控制无线电信号,就有可能造成严重的后果。工业制造中分配给医药和科学研究的射频是13.56mhz。这个频率的射频发生器已经应用于商业用途,经济效益比其他如2mhz、1.8mhz等频率要高得多。


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