Soitec收购EpiGaN nv,氮化镓(GaN)材料加入优化衬底产品组合

soitec宣布收购epigan nv,增强其优化衬底产品组合氮化镓(gan)材料优势,此次收购将加速soitec在高速增长的5g、电源和传感器市场的渗透率。
中国北京,2019年5月16日——作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业,法国soitec半导体公司宣布,已与欧洲领先的氮化镓(以下简称gan)外延硅片材料供应商epigan达成最终协议,以3,000万欧元现金收购epigan公司。同时,这一协议还将根据盈利能力支付计划支付额外的奖金。 epigan的gan产品主要用于rf(射频)、5g、电子元器件和传感器应用。预计未来五年内,gan技术的市场应用规模将达到每年50万至一百万个晶圆。
soitec首席执行官paul boudre表示:“目前,gan技术在射频和功率市场中的应用备受瞩目。gan 外延硅片材料与soitec目前的优化衬底产品系列将形成战略上的天作之合。收购epigan进一步扩展并补充了soitec的硅产品组合,为射频、5g和功率系统创造了新的工艺解决方案,为用户增效。”
在移动领域,实现性能、低功耗和成本的共同优化至关重要。与4g相比,5g 低于6ghz频段和毫米波的到来正在推动新一代基站的发展,它需要更高能效、更高性能、更小、更有经济效益的功率放大器(pa)。更小、更轻、更高效和更具成本效益是当今基站设计的趋势,soitec将扩展其应用于pa的产品组合,并以gan产品领衔这一趋势。
epigan联合创始人兼首席执行官marianne germain博士表示,“多年来,epigan在gan技术领域备受行业认可,目前研制出并优化了一种可投入使用的技术,应用于5g宽带网络应用。我们的技术为soitec的客户创造了绝佳的机会,可以针对新兴高增长市场快速开发产品解决方案,例如射频设备、高效电源开关设备和传感器设备。”
epigan总监兼基石投资公司lrm代表katleen vandersmissen则表示:“epigan开发的gan技术开启了许多未来机遇。我们相信作为epigan的卓越合作伙伴,soitec将充分挖掘epigan的市场发展潜力。”
此外,鉴于gan在功率晶体管设计中的应用,收购epigan还将为soitec现有的power-soi产品创造新的增长空间。power-soi和gan均可满足智能化、节能化和高可靠的集成电路设备对于综合高压和模拟功能的要求,以便广泛应用于消费电子、数据中心、汽车和工业市场。epigan将被整合成为soitec的一个业务部门。
日程
soitec将于2019年6月13日在巴黎举行资本市场日。
关于epigan
epigan成立于2010年,位于比利时东部哈瑟尔特市,是微电子产学研中心imec的衍生公司,是欧洲领先的氮化镓(gan)技术解决方案供应商。epigan的技术广泛应用于5g基础设施、物联网(iot)和智能传感器系统的电源,是电力供应、电动汽车、无线充电和其他射频电源系统设备创新的关键推动者。该公司在过去3年内两次入选享有盛誉的全球清洁技术百强企业名单。2011年,lrm,capricorn清洁技术基金和罗伯特博世创业资本有限公司投资了该公司,a-capital和spfi-fpim也在之后入资。
关于soitec
法国 soitec 半导体公司是设计和生产创新性半导体材料的全球领先企业,以其独特的技术和半导体领域的专长服务于电子和能源市场。soitec 在全球拥有3000多项专利,在不断创新的基础上满足客户对高性能、低能耗、以及低成本的需求。soitec 在欧洲、美国和亚洲设有制造工厂、研发中心和办事处。soitec和smart cut为soitec公司注册商标。

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