关于低功耗MCU技术对物联网市场的影响分析
华虹宏力 这里有我们的故事
华虹宏力执行副总裁 孔蔚然博士
在物联网（iot）逐渐成为微控制器（mcu）的主要应用市场之后，开发具备高能效比的mcu产品成为各厂商的重点方向。而一款低功耗mcu的成功开发，是内核、外设电路和工艺三方面共同作用的结果。随着新工艺技术的不断推出，制造工艺的重要性正在不断提升。
专为物联网打造超低功耗工艺平台
根据预测，到2020年左右世界上将有超过500亿台设备实现联网。这使得有关物联网的话题备受行业瞩目。然而，如此之多的设备连接进入网络（很多设备是无线联网），必将对芯片功耗十分敏感。具有低功耗、高性能的mcu解决方案，可以简化系统设计，降低整体功耗，帮助系统设计人员将联网设备更快推向市场。因此，随着物联网市场的发展，具备高集成、低功耗的mcu日益受到市场欢迎。
“华虹宏力有一套专为物联网打造的0.11微米超低功耗（ull）嵌入式eflash及eeeprom工艺平台，晶体管静态功耗达到0.2pa/um。同时可实现超低功耗数字、模拟电路、嵌入式闪存与rf-cmos的技术结合，可为物联网客户量身定制性价比优越、全面灵活的解决方案。”在接受《中国电子报》采访时，华虹宏力执行副总裁孔蔚然博士表示。
华虹宏力0.11微米超低功耗双栅型嵌入式闪存技术平台拥有四大优势：一是超低功耗，器件静态功耗可达到0.2pa/um（ull平台）、3pa/um（lp平台）；flash ip待机功耗（isb）可低至0.1ua，且支持1.2v低电压操作；数字标准单元库支持工作电压范围1.08到1.65伏；完整的电源管理（pmk）单元，便于超低功耗芯片设计。二是高集成度，标准单元库密度达到310k gates/m㎡， sram单元面积为 1.61u㎡；单芯片集成了flash、eeprom和rf-cmos模块，可为物联网芯片提供包括无线通讯在内的完整解决方案。三是高性能，flash ip的读取速度到达60mhz，工作电流低至30ua/mhz。四是超低制造成本，标准4层金属层嵌入式闪存工艺仅需24层光罩，是业界具有最少的光罩层数的嵌入式闪存及eeprom工艺技术。
“华虹宏力通过eflash/eeeprom工艺平台提供定制化的flash ip/eeprom ip——读速度可达60mhz的高速ip与静态电流（standby）低于0.1ua的低功耗ip，可以帮助客户发展高性能的mcu产品，满足包括物联网在内的各种多元化应用。”华虹宏力执行副总裁孔蔚然博士说。
高中低端mcu市场全方位覆盖
作为全球第二大8英寸纯晶圆代工厂，华虹宏力依托在细分领域的竞争优势，打造了嵌入式非易失性存储器、功率器件、模拟及电源管理、逻辑及射频等先进的差异化工艺技术平台。经过多年的努力，mcu已成为华虹宏力最大的业务分支。华虹宏力拥有高端mcu所用的eflash/eeeprom技术平台，同时提供入门级mcu所用的高性价比otp/mtp技术平台。
“面向低成本市场并不意味着技术含量低。华虹宏力0.18微米otp/mtp技术平台采用了业内最具竞争力的光罩层数、面积较小且读写速度更快及功耗更低的ip模块。在保证性价比的基础上，为客户提供可用于多种应用的mcu解决方案。”华虹宏力执行副总裁孔蔚然博士说。
华虹宏力执行副总裁孔蔚然博士进一步表示，物联网的宗旨是万物皆可联网，借以构成庞大的应用系统，并打造智慧的生活环境。mcu作为物联网的核心组件之一，无论在市场规模还是技术上都将获得进一步发展。针对迅猛发展的mcu市场，华虹宏力全系列的嵌入式非易失性存储器工艺平台组合可提供业界领先的代工服务，产品应用覆盖高、中、低端mcu芯片，为mcu设计公司提供了业内最多种的选择方案。此外，公司目前还在积极研发，进一步升级工艺技术，计划将未来mcu产品逐步导入更具有竞争力的90纳米和95纳米嵌入式非易失性存储器工艺平台。
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华虹宏力执行副总裁 孔蔚然博士
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华虹宏力0.11微米超低功耗双栅型嵌入式闪存技术平台拥有四大优势：一是超低功耗，器件静态功耗可达到0.2pa/um（ull平台）、3pa/um（lp平台）；flash ip待机功耗（isb）可低至0.1ua，且支持1.2v低电压操作；数字标准单元库支持工作电压范围1.08到1.65伏；完整的电源管理（pmk）单元，便于超低功耗芯片设计。二是高集成度，标准单元库密度达到310k gates/m㎡， sram单元面积为 1.61u㎡；单芯片集成了flash、eeprom和rf-cmos模块，可为物联网芯片提供包括无线通讯在内的完整解决方案。三是高性能，flash ip的读取速度到达60mhz，工作电流低至30ua/mhz。四是超低制造成本，标准4层金属层嵌入式闪存工艺仅需24层光罩，是业界具有最少的光罩层数的嵌入式闪存及eeprom工艺技术。
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