提高智能电表精度新方法，内置高耐度nvSRAM
周遭世界充斥着各种执行重复性作业的机器，例如智慧电表会读取并记录耗电数据，然后每隔几分鐘再将读取到的数据，上传至区域汇整设备进行重置，并重复之前的动作。其他设备如可携式医疗仪器、工厂生产线设备和无电刷马达等，也都必须进行一连串的量测动作，并对量测数据做出反应，然后再重新开始同样的流程。各式各样的工业产品，如在线式参数记录器、错误记录器、引擎监视器及电池充电器及暖气/通风/空调设备控制器（hvac）等，也都会运用到重复性事件管理元件。
整体效能大胜eeprom nvsram适于重复性事件应用
在许多应用中，持久性或非挥发性记忆体是处理重复性事件的必备元件。智慧电表绝不能在处理复杂作业时因电力中断而出现故障，因一旦读数流失就必须即时重新撷取，还有可能会遭遇样本遗失、材料损毁，导致营运商和使用者不满等问题。
重复性事件记忆体容量通常仅须16k？2mb，并拥有低成本、低切换杂讯的序列介面，且必须以合理的速度如串列周边介面（spi）、内部整合电路（i2c）进行随机存取与循序式读取/写入动作。
以往最能符合需求的元件，就是序列式电子可抹除式唯读记忆体（eeprom），这种平价记忆体在成本、密度及读/写速度方面，都能符合此类应用的需求，但却有两项缺点，其中之一是耐用度有限，一般最高上限仅允许十万次储存；其次是晶片/区块抹写时间有可能超过1秒，设计人员得花很多时间排除这些难题之后，才能享受序列式eeprom带来的成本优势。专为重复性事件系统量身打造的非挥发静态随机存取记忆体（nvsram），运作模式类似sram，能进行高速读取、高速写入、随机存取和连续爆发（burst）模式，但却没有序列式eeprom或序列式快闪元件在抹写区块与ic资料时作业时间冗长的问题，使用者完全不会感觉到在幕后工作的非挥发性记忆体。
ic一旦侦测到电源异常时，就会自动把所有资料移到非挥发储存元件，在电源中断时储存资料完全不会受损。当电力恢復后，系统会自动把资料移回sram，系统会回復到电力中断之前的状态继续运作。
这类非挥发性记忆体的耐用度超过一百万次储存。由于这些储存事件仅在出现电力中断时才会发生，因此对于嵌入式与工业应用而言，如此的耐用度实际上等同于无限。sram则是在正常模式下持续运作，具备无次数上限的读取与写入功能。
此外，在这些低密度记忆体中，增加的单元电路会提供nvsram处理结果，而且成本很接近序列式eeprom或序列快闪元件，考量到它对重复性事件应用带来的改良效益，可说是相当划算的选择。
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此外，在这些低密度记忆体中，增加的单元电路会提供nvsram处理结果，而且成本很接近序列式eeprom或序列快闪元件，考量到它对重复性事件应用带来的改良效益，可说是相当划算的选择。
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