三极管推挽电路设计
当驱动光耦的输出能力无法满足igbt门极驱动电流的要求时，要选择使用推挽驱动。
（1） igbt门极峰值电流计算
参考英飞凌的应用手册，igbt门极峰值电流
imax=0.74*△vge/（rg+rint）
△vge为igbt驱动电压变化量，rg为外加门极电阻，rint为门极内部电阻，0.74为考虑到驱动器内阻和引线电感而设置的校正系数。
假设igbt在开通和关断的过程中，门极等效电容cge恒定。 对于igbt门极回路可列出微分方程
ld2ig（t）/dt2+rdig（t）/dt+1/cge*ig（t）=0
求解方程(4)得到imax的表达式(5)，其中e为2.71828。
imax=2*△vge/（er）≈0.74△vge/r
其中l为门极驱动回路的杂散电感，r为驱动电阻总和，包括rg和rint，ig(t)为随时间变化的门极电流。
注意事项：
1、在计算门极峰值电流时，理论值往往比实测值大，这是由于驱动回路杂散电感导致的；
2、外加门极电容越大，开通、关断时门极峰值电流越大；
3、对于驱动推挽电路没有直接安装在igbt上面、推挽后级有驱动长线的应用，在外加门极电容的情况下，门极峰值电流实测值和理论值相差得大一些。
（2）三极管推挽电路组成及优缺点
常见的用三极管构成的推动级电路如图所示，上管用npn三极管，下管用pnp三极管，组成推挽放大电路。
优点：正逻辑，简单，非常容易用。
缺点：
1、饱和导通时有0.7v的饱和压降；在做驱动器的输出级时，损耗较大，在开关频率较高时，发热尤其明显；
2、在峰值驱动电流较大时，三极管的ce电压降变得较高，因此为了保证门极电压为15v，电源电压需要设计为17v~18v；
3、三极管响应速度慢，基极到发射极的相响时间稍长，在做有源钳位的反馈通道时，显得有点慢；
4、三极管的基极电流会受igbt门极充电电压的影响；
5、三极管的增益随着电流的变化而变化。
三极管推挽电路存在两种情况：输出端分开、输出端连接在一起的情况，如下图3所示，在图3(b)中，可在开通或关断电阻所在支路串联二极管，从而使开通或关断电阻阻值不同。
推挽输出端连在一起时，推挽三极管承受的反压较小； 推挽输出端分开时，推挽三极管承受的反压较大，反压主要是由开关电流在驱动电阻上的压降形成的。
（3） 推挽三极管的选型
① 推挽三极管的集射极电压vceo
推挽三极管的集射极电压vceo的80%大于驱动总电源vcc+vee。
②推挽三极管的集电极电流峰值icm
集电极电流峰值icm要大于igbt门极峰值电流ipeak，但要保证三极管增益曲线中ipeak所对应的hfe大于50（建议值）。
③推挽三极管基极电阻的选择
推挽三极管基极电阻的选择步骤：
1、计算门极峰值电流ipeak；
2、查三极管的增益曲线，找出ipeak所对应的hfe；
3、计算基极电流ib；
ib=ipeak /hfe
4、计算基极电阻，其中△vge为igbt驱动电压变化量，所选择的基极电阻应小于该阻值。
rb=△vge/ib
注：应对npn和pnp三极管分别计算基极电阻，若两个三极管的基极电阻共用，应选择较小的基极电阻。
注意事项：
1、 若减小推挽三极管的基极电阻，则开通时igbt的门极电压会偏高；
2、 无论基极门极电阻、三极管增益如何变化，igbt关断特性与反向恢复能量基本不变；
3、 对于某一类增益确定的三极管，随着基极电阻的增大，开通延时、上升时间、开通损耗等增加，开通di/dt、du/dt、反向恢复du/dt减小；
4、 若基极电阻固定，增益越大的三极管，相应的igbt损耗越小，但当基极电阻小到一定值后，两种增益三极管的开通损耗基本相等；
5、驱动推挽器件布线时的注意事项
① 一般推挽器件发热严重，应尽量增大铺铜面积；
②若推挽器件采用直插封装，建议使用散热器进行散热；
③ 若条件允许，可以在推挽器件所在pcb板的另一面也铺铜，通过通孔连接，以改善散热。
三星显示器加速收敛大尺寸LCD产线
Vishay推出新款模拟开关：适合有限的空间，可提高信号完整性
射频微带线通过分割平面的几种情况
智能快充时代 芯片问题仍需攻坚
史上最强魅蓝手机附带热血爱国光环，魅蓝e3了解一下？
三极管推挽电路设计
高低温试验箱/高低温箱/快速温度变化试验箱
无人驾驶独角兽Zoox人事巨变，创始人兼CEO出局
焊膏作用是什么 焊膏和焊锡膏是一回事吗
小米内部组织架构再次变动：小米产品部和红米产品部合并
我国正在研发将在京张高铁首次应用于高铁的自动驾驶技术
如何配置设置建立dhcp服务器
5GNR小区带宽60M改100M配置指导书
OCH2B使用了豪威集团的AntLinx专有技术
铠侠领先推出面向企业与数据中心的CD8P系列PCIe 5.0 SSD
威迈斯IPO上市观察 深度研发赋能 成功解决行业难点
linux内核源码中的task_struct结构体
华为启动突围Plan B，鸿蒙系统装上车
基于CPCI总线结构的微波接收机设计
详解电容器的原理与结构，你都会吗？
（1） igbt门极峰值电流计算
参考英飞凌的应用手册，igbt门极峰值电流
imax=0.74*△vge/（rg+rint）
△vge为igbt驱动电压变化量，rg为外加门极电阻，rint为门极内部电阻，0.74为考虑到驱动器内阻和引线电感而设置的校正系数。
假设igbt在开通和关断的过程中，门极等效电容cge恒定。 对于igbt门极回路可列出微分方程
ld2ig（t）/dt2+rdig（t）/dt+1/cge*ig（t）=0
求解方程(4)得到imax的表达式(5)，其中e为2.71828。
imax=2*△vge/（er）≈0.74△vge/r
其中l为门极驱动回路的杂散电感，r为驱动电阻总和，包括rg和rint，ig(t)为随时间变化的门极电流。
注意事项：
1、在计算门极峰值电流时，理论值往往比实测值大，这是由于驱动回路杂散电感导致的；
2、外加门极电容越大，开通、关断时门极峰值电流越大；
3、对于驱动推挽电路没有直接安装在igbt上面、推挽后级有驱动长线的应用，在外加门极电容的情况下，门极峰值电流实测值和理论值相差得大一些。
（2）三极管推挽电路组成及优缺点
常见的用三极管构成的推动级电路如图所示，上管用npn三极管，下管用pnp三极管，组成推挽放大电路。
优点：正逻辑，简单，非常容易用。
缺点：
1、饱和导通时有0.7v的饱和压降；在做驱动器的输出级时，损耗较大，在开关频率较高时，发热尤其明显；
2、在峰值驱动电流较大时，三极管的ce电压降变得较高，因此为了保证门极电压为15v，电源电压需要设计为17v~18v；
3、三极管响应速度慢，基极到发射极的相响时间稍长，在做有源钳位的反馈通道时，显得有点慢；
4、三极管的基极电流会受igbt门极充电电压的影响；
5、三极管的增益随着电流的变化而变化。
三极管推挽电路存在两种情况：输出端分开、输出端连接在一起的情况，如下图3所示，在图3(b)中，可在开通或关断电阻所在支路串联二极管，从而使开通或关断电阻阻值不同。
推挽输出端连在一起时，推挽三极管承受的反压较小； 推挽输出端分开时，推挽三极管承受的反压较大，反压主要是由开关电流在驱动电阻上的压降形成的。
（3） 推挽三极管的选型
① 推挽三极管的集射极电压vceo
推挽三极管的集射极电压vceo的80%大于驱动总电源vcc+vee。
②推挽三极管的集电极电流峰值icm
集电极电流峰值icm要大于igbt门极峰值电流ipeak，但要保证三极管增益曲线中ipeak所对应的hfe大于50（建议值）。
③推挽三极管基极电阻的选择
推挽三极管基极电阻的选择步骤：
1、计算门极峰值电流ipeak；
2、查三极管的增益曲线，找出ipeak所对应的hfe；
3、计算基极电流ib；
ib=ipeak /hfe
4、计算基极电阻，其中△vge为igbt驱动电压变化量，所选择的基极电阻应小于该阻值。
rb=△vge/ib
注：应对npn和pnp三极管分别计算基极电阻，若两个三极管的基极电阻共用，应选择较小的基极电阻。
注意事项：
1、 若减小推挽三极管的基极电阻，则开通时igbt的门极电压会偏高；
2、 无论基极门极电阻、三极管增益如何变化，igbt关断特性与反向恢复能量基本不变；
3、 对于某一类增益确定的三极管，随着基极电阻的增大，开通延时、上升时间、开通损耗等增加，开通di/dt、du/dt、反向恢复du/dt减小；
4、 若基极电阻固定，增益越大的三极管，相应的igbt损耗越小，但当基极电阻小到一定值后，两种增益三极管的开通损耗基本相等；
5、驱动推挽器件布线时的注意事项
① 一般推挽器件发热严重，应尽量增大铺铜面积；
②若推挽器件采用直插封装，建议使用散热器进行散热；
③ 若条件允许，可以在推挽器件所在pcb板的另一面也铺铜，通过通孔连接，以改善散热。
三星显示器加速收敛大尺寸LCD产线
Vishay推出新款模拟开关：适合有限的空间，可提高信号完整性
射频微带线通过分割平面的几种情况
智能快充时代 芯片问题仍需攻坚
史上最强魅蓝手机附带热血爱国光环，魅蓝e3了解一下？
三极管推挽电路设计
高低温试验箱/高低温箱/快速温度变化试验箱
无人驾驶独角兽Zoox人事巨变，创始人兼CEO出局
焊膏作用是什么 焊膏和焊锡膏是一回事吗
小米内部组织架构再次变动：小米产品部和红米产品部合并
我国正在研发将在京张高铁首次应用于高铁的自动驾驶技术
如何配置设置建立dhcp服务器
5GNR小区带宽60M改100M配置指导书
OCH2B使用了豪威集团的AntLinx专有技术
铠侠领先推出面向企业与数据中心的CD8P系列PCIe 5.0 SSD
威迈斯IPO上市观察 深度研发赋能 成功解决行业难点
linux内核源码中的task_struct结构体
华为启动突围Plan B，鸿蒙系统装上车
基于CPCI总线结构的微波接收机设计
详解电容器的原理与结构，你都会吗？