CMOS晶体管,CMOS晶体管是什么意思
cmos晶体管,cmos晶体管是什么意思
金属-氧化物-半导体(metal-oxide-semiconductor)结构的晶体管简称mos晶体管，有p型mos管和n型mos管之分。由 mos管构成的集成电路称为mos集成电路，而由pmos管和nmos管共同构成的互补型mos集成电路即为 cmos-ic（ complementary mos integrated circuit）。
目前使用最最广泛的晶体管是cmos晶体管，cmos晶体管特点是什么？首先cmos晶体管功耗和抗干扰能力优于同时期的ttl器件，而且速度和ttl器件相当，所以cmos取代ttl是大势所趋，我们看到目前集成电路上的晶体管还有几乎所有pld器件都是采用cmos技术，这一点就说明了cmos的大行其道。
cmos数字集成电路是利用nmos管和pmos管巧妙组合成的电路，属于一种微功耗的数字集成电路。主要系列有：
1．标准型4000b/4500b系列
该系列是以美国rca公司的cd4000b系列和cd4500b系列制定的，与美国motorola公司的mc14000b系列和c14500b系列产品完全兼容。该系列产品的最大特点是工作电源电压范围宽（3～18v）、功耗最小、速度较低、品种多、价格低廉，是目前cmos集成电路的主要应用产品。
2．74hc–系列
54/74hc–系列是高速cmos标准逻辑电路系列，具有与74ls – 系列同等的工作度和cmos集成电路固有的低功耗及电源电压范围宽等特点。74hcxxx是74lsxxx同序号的翻版，型号最后几位数字相同，表示电路的逻辑功能、管脚排列完全兼容，为用74hc替代74ls提供了方便。
3．74ac–系列
该系列又称“先进的cmos集成电路”，54/74ac 系列具有与74as系列等同的工作速度和与cmos集成电路固有的低功耗及电源电压范围宽等特点。
cmos集成电路的主要特点有：
（1）具有非常低的静态功耗。在电源电压vcc=5v时，中规模集成电路的静态功耗小于100mw。
（2）具有非常高的输入阻抗。正常工作的cmos集成电路，其输入保护二极管处于反偏状态，直流输入阻抗大于100mω。
（3）宽的电源电压范围。cmos集成电路标准4000b/4500b系列产品的电源电压为3～18v。
（4）扇出能力强。在低频工作时，一个输出端可驱动cmos器件50个以上输入端。
（5）抗干扰能力强。cmos集成电路的电压噪声容限可达电源电压值的45%，且高电平和低电平的噪声容限值基本相等。
（6）逻辑摆幅大。cmos电路在空载时，输出高电平voh≥vcc-0.05v，输出低电平v0l≤0.05v。
cmos集成电路的性能特点
微功耗—cmos电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。
高噪声容限—cmos电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。 宽工作电压范围—cmos 电路的电源电压一般为1.5~18伏。 高逻辑摆幅—cmos 电路输出高、低电平的幅度达到全电1为vdd，逻辑“0”为vss。
高输入阻抗--cmos电路的输入阻抗大于108ω一般可达1010ω。 高扇出能力--cmos电路的扇出能力大于50。 低输入电容--cmos电路的输入电容一般不大于5pf。
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cmos数字集成电路是利用nmos管和pmos管巧妙组合成的电路，属于一种微功耗的数字集成电路。主要系列有：
1．标准型4000b/4500b系列
该系列是以美国rca公司的cd4000b系列和cd4500b系列制定的，与美国motorola公司的mc14000b系列和c14500b系列产品完全兼容。该系列产品的最大特点是工作电源电压范围宽（3～18v）、功耗最小、速度较低、品种多、价格低廉，是目前cmos集成电路的主要应用产品。
2．74hc–系列
54/74hc–系列是高速cmos标准逻辑电路系列，具有与74ls – 系列同等的工作度和cmos集成电路固有的低功耗及电源电压范围宽等特点。74hcxxx是74lsxxx同序号的翻版，型号最后几位数字相同，表示电路的逻辑功能、管脚排列完全兼容，为用74hc替代74ls提供了方便。
3．74ac–系列
该系列又称“先进的cmos集成电路”，54/74ac 系列具有与74as系列等同的工作速度和与cmos集成电路固有的低功耗及电源电压范围宽等特点。
cmos集成电路的主要特点有：
（1）具有非常低的静态功耗。在电源电压vcc=5v时，中规模集成电路的静态功耗小于100mw。
（2）具有非常高的输入阻抗。正常工作的cmos集成电路，其输入保护二极管处于反偏状态，直流输入阻抗大于100mω。
（3）宽的电源电压范围。cmos集成电路标准4000b/4500b系列产品的电源电压为3～18v。
（4）扇出能力强。在低频工作时，一个输出端可驱动cmos器件50个以上输入端。
（5）抗干扰能力强。cmos集成电路的电压噪声容限可达电源电压值的45%，且高电平和低电平的噪声容限值基本相等。
（6）逻辑摆幅大。cmos电路在空载时，输出高电平voh≥vcc-0.05v，输出低电平v0l≤0.05v。
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