Agilent脉冲参数测试仪的应用特点及优势分析
安捷伦科技的agilent 4075和4076 dc/rf/脉冲参数测试仪，用来检定使用高级工艺技术（如65 nm技术节点）制造的器件。通过agilent 4075和4076，半导体测试工程师可以同时测量rf特点和dc特点，以满足当前体积日益缩小的多样化半导体器件需求，如65 nm及更高工艺的超薄栅氧化物晶体管、绝缘体上硅（soi）晶体管和高介电常数（高k）器件。
体积缩小和器件速度提高，日益需要在生产过程中实现新的参数测试功能，而过去只有在实验室中才需要这些功能。agilent 4075和4076为精确检定新的器件结构提供了所需的灵活性，如超薄栅氧化物mosfet （金属氧化物半导体场效应晶体管）或通信应用中使用的高速半导体器件。通过先进的设计，agilent 4075和4076支持10-ns短脉冲式iv测量，对热量或电荷异常灵敏的器件必需进行此类测量，如高速逻辑应用中使用的soi晶体管和高介电常数晶体管。此外，agilent 4076支持直到1 fa的超低电流测量功能。
与整个4070系列一样，agilent 4075和4076支持300 mm secs/gem自动化协议，这些协议已经在世界各地的生产线中得到验证。secs/gem是半导体行业的标准，保证制造设备共享一致的界面和行为。
现代超薄栅mosfet容易受到电子隧道的影响。为检定其电容和电压（cv）行为特点，测量频率必需超过几兆赫。但是，高频cv （hfcv）及实现检定必需的射频频率cv （rfcv）测量技术之间相互抵触。agilent 4075和4076同时支持hfcv （4294a）仪器和rfcv （ena/pna）仪器，使得用户能够选择最佳方法，满足自己的工艺技术和生产测试需求。
agilent 4075和4076都把高速电容测量单元（cmu）集成到测试头中。这一功能可以在1 khz - 2 mhz频率范围内，对层间/层内氧化物非常快速地进行电容测量，从而改善吞吐量，降低测试成本。
通信应用和高速逻辑应用要求深入检定高速半导体器件的性能。agilent 4075与4076皆支持利用pna进行rf的s参数测试功能，相对于目前市面上使用vna的解决方案，以pna为主的rf解决方案可提供更高的产出速度。
诸如soi或高k等最新的先进技术需要超短的脉冲测试能力，以防止产生有害的热量或电荷敏感效应。然而，生产测试系统的脉冲式测量能力却只限于测量微秒的范围。agilent 4075与4076可提供短至10纳秒的超短脉冲式iv测量能力，能有效地测量soi或高k晶体管等对热或电荷高度敏感组件的特性。
agilent 4076还为生产测试提供了实验室测试功能。高级工艺通常要求在生产中精确测量各种参数，如mosfet低于门限的泄漏电流和铜（cu）金属van der paw电阻。这些测量要求异常精确的电流和电压测量分辨率，而此前只有实验室中才能提供这种分辨率。
agilent 4075和4076所有的rf、hfcv和超短脉冲式iv测量功能都可以在整个新设计的直接对接接口上使用。这种直接对接的设计可通过自动化的探针卡更换机制，让使用者轻易地控制和变换探针卡，而且这种rf直接对接的方式也不会减少任何的dc针脚。
诸如测量链接库和校准工具等操作简易、采用图形化使用者接口的软件皆支持这些rf、hfcv和脉冲式iv测量功能。
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agilent 4075和4076都把高速电容测量单元（cmu）集成到测试头中。这一功能可以在1 khz - 2 mhz频率范围内，对层间/层内氧化物非常快速地进行电容测量，从而改善吞吐量，降低测试成本。
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agilent 4075和4076所有的rf、hfcv和超短脉冲式iv测量功能都可以在整个新设计的直接对接接口上使用。这种直接对接的设计可通过自动化的探针卡更换机制，让使用者轻易地控制和变换探针卡，而且这种rf直接对接的方式也不会减少任何的dc针脚。
诸如测量链接库和校准工具等操作简易、采用图形化使用者接口的软件皆支持这些rf、hfcv和脉冲式iv测量功能。
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