MOS管的各关键参数计算
mos管的选型(2)
mos管的选型需要满足几个重要的要求:
1.足够的漏源电压vds；
2.足够的漏极电流id;
3.快速开关切换能力，导通，关断延时；
4.低的导通内阻rds(on);
举个例子：在以上半桥电路中，若电路的输出功率为850w,负载8ohm,mos怎么选？
1）vds电压为多少？
据p=u*u/r,算的输出的平均电压v=82v；只是平均值，转换成峰值vpp=1.414*v = 116v，若转换效率为85%，则实际的vp=vpp/85%=136v，因vn=-136v，则vds≥136*2=272v；
2）计算id
p=i*i*r,算的i=10.3a；所以mos选择要vds≥272v;id>10.3a；
可选fdaf59n30，其指标：
1.vds=300v;
2.id=34a;
3.上升实际ton=140ns;
4.关断时间toff=120ns;
5.内阻rds(on)=0.056ohm；
6.栅极电荷qg=77nc;
从指标看，以上各种电压和电流均满足要求，且在较短开通和关断延时时间保证系统可靠性。
3）mos驱动怎么选？
通过计算mos在一个完整开关周期内所需要的功率pg，计算公式为：pg=vgs*qg*fsw,其中vgs为栅极驱动电压，fsw为开关频率。
fdaf59n30在栅极驱动电压为12v，开关频率200khz,时消耗的功率：p=12*77*10-9*200*103=0.1848w；
驱动所需的平均电流i = p/vgs = 15.4ma。
在保证正常工作条件下fdaf59n30的典型的开通和关断时间约为200ns,因此可以反推出驱动所需的瞬时电流：imax = qg/t=77nc/200ns = 385ma;
高压mos管，所需要提供浮动栅极驱动能力。
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2.足够的漏极电流id;
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1.vds=300v;
2.id=34a;
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5.内阻rds(on)=0.056ohm；
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