NP3433EHR 30V p通道增强模式MOSFET
描述
np3433ehr采用了先进的沟槽技术
提供优良的rds(on)，低栅电荷和
工作电压低至1.8v。这个设备
适合用作负载开关或pwm
应用程序。
一般特征
vds = -20v, id = -1a
rds(上)(typ) = 295ω@vgs = -4.5 v
rds(上)(typ) = 405ω@vgs = -2.5 v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
esd额定电压:2500v hbm
应用程序
pwm程序
负荷开关
包
esot-23-3l
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明，ta=25℃)
热特性
电特性(除非另有说明，ta=25℃)
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NP3433EHR 30V p通道增强模式MOSFET
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