D型SuperGaN FET可用作任何E型TOLL封装FET的直接替代品
transphorm正在对三个650 v gan fet进行采样，典型导通电阻为35 mω、50 mω和72 mω，采用to无引线(toll)封装。根据制造商的说法，这些通常关闭的d型supergan fet可用作任何e型toll封装fet的直接替代品。
坚固耐用的supergan toll器件已通过jedec认证。由于常关 d 模式平台将 gan hemt 与低压硅 mosfet 配对，因此 supergan fet 很容易使用常用的现成栅极驱动器驱动。它们可用于各种硬开关和软开关 ac/dc、dc/dc 和 dc/ac 拓扑，以提高功率密度，同时减小系统尺寸、重量和总体成本。
这三款表面贴装器件的工作温度范围为 -55°c 至 +150°c，支持平均工作范围为 1 kw 至 3 kw 的应用。这些电源系统通常用于计算(ai、服务器、电信)、能源和工业系统(光伏逆变器、伺服电机)以及其他工业市场。
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