东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率
中国上海，2022年3月31日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150v n沟道功率mosfet---“tph9r00cqh”。该器件采用最新一代［1］“u-mosx-h”工艺，适用于工业设备开关电源，其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。
与使用当前一代“u-mosⅷ-h”工艺的150v产品tph1500cnh相比，tph9r00cqh的漏源导通电阻下降约42%。对新型mosfet的结构优化促进实现源漏导通电阻和两项电荷特性［2］之间的平衡［3］，从而实现了优异的低损耗特性。此外，开关操作时漏极和源极之间的尖峰电压降低，有助于减少开关电源的电磁干扰（emi）。该产品提供sop advance和更为广泛采用的sop advance（n）这两种类型的表面贴装封装。
与此同时，东芝还提供各类工具，为开关电源的电路设计提供支持。除了能快速验证电路功能的g0 spice模型，现在还提供能精确再现瞬态特性的高精度g2 spice模型。
东芝将进一步扩大其mosfet产品线，通过减少损耗提高设备电源效率，进而帮助其降低功耗。
ø应用：
- 通信设备电源 - 开关电源（高效率dc-dc转换器等） ø特性：
- 优异的低损耗特性（在导通电阻和栅开关电荷及输出电荷间取得平衡） - 卓越的导通电阻：rds（on）＝9.0mω（最大值）@vgs＝10v - 高额定结温：tch（最大值）＝175℃ ø主要规格：
（除非另有说明，@ta＝25
注：
［1］ 截至2022年3月的东芝调查。
［2］ 栅极开关电荷和输出电荷。
［3］ 与现有产品tph1500cnh（u-mosⅷ-h系列）相比，该产品将漏源导通电阻×栅开关电荷提高了大约20%，漏源导通电阻×输出电荷提高了大约28%。
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注：
［1］ 截至2022年3月的东芝调查。
［2］ 栅极开关电荷和输出电荷。
［3］ 与现有产品tph1500cnh（u-mosⅷ-h系列）相比，该产品将漏源导通电阻×栅开关电荷提高了大约20%，漏源导通电阻×输出电荷提高了大约28%。
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