我们先来看看mos关模型:
cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。
cgd:是两个不同作用的结果。第一jfet区域和门电极的重叠,第二是
耗尽区电容(非线性)。等效的cgd电容是一个vds电压的函数。
cds:也是非线性的电容,它是体二极管的结电容,也是和电压相关的。
这些电容都是由spec上面的crss,ciss和coss决定的。
由于cgd同时在输入和输出,因此等效值由于 vds电压要比原来大很多,这个称为米勒效应。
由于spec上面的值按照特定的条件下测试得到的,我们在实际应用的时候需要修改cgd的值。
开启和关断的过程分析:
功耗的计算:
mosfet 驱动器的功耗包含三部分:
1. 由于mosfet栅极电容充电和放电产生的功耗。
与mosfet栅极电容充电和放电有关。这部分功耗通常是最高的,特别在很低的开关频率时。
2. 由于mosfet 驱动器吸收静态电流而产生的功耗。
高电平时和低电平时的静态功耗。
3. mosfet 驱动器交越导通(穿通)电流产生的功耗。
由于mosfet 驱动器交越导通而产生的功耗,通常这也被称为穿通。这是由于输出驱动级的p沟道和n 沟道场效应管(fet)在其导通和截止状态之间切换时同时导通而引起的。
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