台积电与三星针对7nm制程技术观点截然不同
在近日于美国举行的年度国际固态电路会议（isscc）上，三星（samsung）与台积电（tsmc）针对7纳米制程技术，分别提供了截然不同的观点；两家公司都是介绍sram技术进展，而该技术通常都是新一代节点的关键推手。
台积电的论文描述了一款测试芯片，能做为商用组件而且号称拥有「健康的」良率；三星的论文则是叙述利用极紫外光（euv）微影修复显然是研发组件的经验，并透露7纳米制程可能还需要等待几年的时间。两家公司都想要成为提供先进制程晶圆代工服务的领导厂商，不过他们对于7纳米制程的策略却大不相同。
台积电显然是拿到了大部分的苹果（apple） iphone处理器soc生意，这需要每年在制程技术上有一些进展；因此台积电已经开始为iphone 7量产10纳米芯片，并得在明年为iphone 8量产7纳米芯片。而没了苹果生意的三星，则可以在某种程度上的「名词游戏」中喘口气；因此该公司会稍微延后7纳米的量产时程，但以某种形式展现领导地位──就是euv。
与英特尔（intel）在半导体制造领域各显身手、激烈竞争的两家公司都有了一些令人赞赏的进展，不过相关技术细节非常稀少；台积电在isscc叙述了一款256mbit的7纳米制程sram测试芯片，储存单元区域达到0.027mm见方，如该公司内存部门总监jonathan chang在简报中所言：「是今年试产出的最小sram。」
台积电的商用sram将于今年进行试产（来源：isscc）
而产生的sram宏单元（macro）会是台积电的16纳米制程版本之0.34倍，采用了7层金属层，整体裸晶尺寸则是42mm见方；chang的简报中，关键内容是这颗sram几乎已经「全熟」，他表示：「我们现在已经能以非常非常健康的良率生产…与我们的设计目标相符。」
三星的euv进展 三星的进展则更偏向研究，开发的部分比较少；该公司打造了8 mbit测试sram，只能看到未来商用7纳米制程的一小部分。
三星提供了其7纳米sram （上）会比10纳米sram （下）小30%的概念影像（来源：isscc）
该芯片就其本身而言并不是以euv微影制作，三星开发了一种创新的维修（repair）制程，在现有的步进机以及euv设备上都测试过，而并不令人惊讶的，euv的效果比较好；一般来说维修并不是制程，因此这项成果对于三星正在进行的7纳米制程euv微影技术开发情况，能透露的不多。
产业专家们大多认为，euv将能在2020年左右准备好应用于某些关键层的制造；三星在去年底表示，将在7纳米制程采用euv微影，但并没有透露其应用的局限程度。
三星是否会在所谓的7纳米制程落后台积电一年、两年甚至三年？结果仍有待观察。
三星可以在任何时候决定并根据现实情况定义其euv使用策略，而或许该公司届时也会在营销语言上说他们家的7纳米制程更先进，因为用了euv。
编译：judith cheng
（参考原文： tsmc， samsung diverge at 7nm，by rick merritt）
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产业专家们大多认为，euv将能在2020年左右准备好应用于某些关键层的制造；三星在去年底表示，将在7纳米制程采用euv微影，但并没有透露其应用的局限程度。
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（参考原文： tsmc， samsung diverge at 7nm，by rick merritt）
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