东京—东芝公司(tokyo:6502)旗下半导体&存储产品公司今天宣布,推出单通道高边n沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)栅极驱动器“tpd7104f”。新产品是一个适用于电荷泵的一体化电路,与东芝的传统产品相比,工作电压更低[1],为vdd(opr)= 5至18v。即日起可供货。
新产品主要规格
· bicd 0.13μm工艺
· 供电电压:vdd(opr)=5至18v
· 内置过流保护功能
· 内置过流诊断功能
· 输出电压
vout=vdd + 8v(最低值)@vdd=5v,iout=-100µa,tj=-40至125°c
vout=vdd + 10v(最低值)@vdd=8至18v,iout=-100µa,tj=-40至125°c
· 小型封装: ps-8(2.8mm × 2.9mm)
应用
适用于汽车应用,驱动12v蓄电池所使用的高边n沟道mosfet,包括用于怠速停止系统和电动助力转向系统(eps)的半导体继电器和半导体负载开关。
· 注1:与“tpd7102f”(vdd=7至18v)相比
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