SK海力士将在中国投资8亿美元提高内存芯片产能
据外媒报道，韩国sk海力士周四宣布，将在韩国和中国投资3.16万亿韩元（约合27亿美元）以提高存储芯片产能，抓住行业内需求增长的机遇。作为全球第二大存储芯片制造商，sk海力士表示，将投资2.2万亿韩元在韩国南部新建一座nand闪存芯片工厂，并同时投资9500亿韩元（约合7.93亿美元）提高现有中国无锡工厂的dram内存芯片产能。
移动设备存储需求的增长和固态硬盘在pc、数据中心的使用已促使sk海力士对手三星电子、东芝提高在芯片生产上的投资。“为了实现进一步增长，提前确保芯片产能很重要，这样才能应对3d nand技术引领的nand闪存市场增长，”sk海力士在一份声明中称。
市场研究公司ihs预计，明年nand闪存芯片行业收入将同比增长5.9%至357亿美元，高于今年的5.7%增速。
sk海力士股价今年已经累计上涨了大约49%，有望创下自2009年以来的最大涨幅。在周四早盘交易中，sk海力士股价上涨2%，超过了大盘指数涨幅。
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