如何看待3D DRAM技术？
我们已经习惯了 3d nand，以至于忘记了它在 2013 年面世时候的革命性。您可以通过堆叠单元而不是将它们并排放置来从根本上提高 nand 晶圆密度的想法现在被认为是理所当然的。我们有 176 层 3d nand 正在生产，230 层产品即将推出，300 层正在开发中。
然而，dram 在平面时代停滞不前。它与 2d 生产技术紧密结合，以至于英特尔的 optane 3d xpoint 等存储级内存被开发出来以提供接近 dram 的速度，但成本更接近 nand。optane 之所以失败，是因为它的成本因良率有限而居高不下，而且其非易失性存储器的编程复杂度太高。
堆叠 dram 单元是降低 dram 成本和提高芯片密度的明显架构方法。然而这很困难，初创公司neo semiconductor认为它已经找到了一种方法，可以通过其 3d x-dram 技术实现这一目标。在这里，我们有一家初创公司设法在主要 dram 制造商美光、三星和 sk 海力士之前创建 3d dram 架构。neo 是一项无晶圆厂业务，需要三大 dram 代工运营商中的一家或多家获得其技术许可才能取得成功。
我们询问了objective analysis的内存半导体行业分析师 jim handy，想知道他如何看待 3d dram 技术。
他告诉我们：“3d nand ‘punch & plug’ 方法现在已广为人知，因此只要不使用任何新材料，使用此工艺的 dram 应该能够快速量产。英特尔在 2020 年 iedm 论文中展示了类似的内容。tom coughlin 和我在我们的新兴内存报告中简要介绍了它。
“英特尔方法的唯一缺点是它使用了掺杂的 hfo（氧化铪）反铁电层，该层在半导体中并未广泛使用。这使得它的制造有点困难，仅仅是因为它不完全在生产车间的控制之下。我相信它类似于德国铁电存储器公司（fmc）正在努力开发成生产工艺的hfo。德累斯顿大学的 namlab 于 2011 年发现了 hfo 的铁电特性，在过去的 12 年中，其衍生的 fmc 一直致力于控制它。在您尝试实际制造它们之前，事情总是看起来很容易！”
英特尔当然不再从事内存业务。
我们向 jim handy 询问了一系列关于 neo 技术的问题：
blocks & files：你对这项技术和公司有公开的看法吗？
jim handy：几年来，neo 一直在闪存峰会上推广一种新颖的 nand 闪存概念。它使用位线的固有电容作为 dram 电容器来极大地加速 nand 闪存的性能。我还不知道有任何商业产品利用了这项技术。至于dram技术，我只知道新闻稿里说的。
blocks & files：其声称能够在2030-2035年期间拥有能够生产1tbit dram芯片的技术进步是否合理？
jim handy：只要这是一个具有生产价值的工艺，使用众所周知的材料和完善的 3d-nand 工艺，就没有理由不早于此构建 terabit dram。如果涉及新材料，那么使它们具有生产价值的挑战将使前景更难以预测。
blocks & files：如果 3d x-dram 技术可行，它能否像 3d nand 帮助降低 nand 的成本/比特一样降低 dram 的成本/比特？
吉姆汉迪：dram 的扩展速度已经显着放缓，任何可以成倍增加 dram 密度的低成本突破都将加速 dram 的成本/比特下降速度。
blocks & files：比服务器 dimm 高 8 倍的 dram 芯片是否会淹没 x86 插槽接口并更多地用于 hbm 和 cxl 访问的远程内存？
jim handy：计算机永远不会有足够的 dram。如果 dram 是免费的，并且如果它的引脚电容不会减慢总线速度，那么每个人的使用量都会比现在多得多。相反，添加 dram 是一件成本高昂的事情，添加到任何一个通道的芯片/封装越多，运行该通道的速度就越慢，因此设计人员通常将自己限制在每个通道只有一个或两个 dimm。
换句话说：成本是一个限制器，而 dram 封装数量是一个限制器。8 倍密度的 dram 不仅可以显着降低成本，而且还可以支持非常大的 dram 阵列，具有与当今计算机已经处理的相同的封装数量和电容。
另一个优势是更高密度的 dram 每瓦提供更多的内存。数据中心存在 dram 的功耗和散热问题，因此这对他们来说也是一大优势。
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堆叠 dram 单元是降低 dram 成本和提高芯片密度的明显架构方法。然而这很困难，初创公司neo semiconductor认为它已经找到了一种方法，可以通过其 3d x-dram 技术实现这一目标。在这里，我们有一家初创公司设法在主要 dram 制造商美光、三星和 sk 海力士之前创建 3d dram 架构。neo 是一项无晶圆厂业务，需要三大 dram 代工运营商中的一家或多家获得其技术许可才能取得成功。
我们询问了objective analysis的内存半导体行业分析师 jim handy，想知道他如何看待 3d dram 技术。
他告诉我们：“3d nand ‘punch & plug’ 方法现在已广为人知，因此只要不使用任何新材料，使用此工艺的 dram 应该能够快速量产。英特尔在 2020 年 iedm 论文中展示了类似的内容。tom coughlin 和我在我们的新兴内存报告中简要介绍了它。
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我们向 jim handy 询问了一系列关于 neo 技术的问题：
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jim handy：几年来，neo 一直在闪存峰会上推广一种新颖的 nand 闪存概念。它使用位线的固有电容作为 dram 电容器来极大地加速 nand 闪存的性能。我还不知道有任何商业产品利用了这项技术。至于dram技术，我只知道新闻稿里说的。
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jim handy：只要这是一个具有生产价值的工艺，使用众所周知的材料和完善的 3d-nand 工艺，就没有理由不早于此构建 terabit dram。如果涉及新材料，那么使它们具有生产价值的挑战将使前景更难以预测。
blocks & files：如果 3d x-dram 技术可行，它能否像 3d nand 帮助降低 nand 的成本/比特一样降低 dram 的成本/比特？
吉姆汉迪：dram 的扩展速度已经显着放缓，任何可以成倍增加 dram 密度的低成本突破都将加速 dram 的成本/比特下降速度。
blocks & files：比服务器 dimm 高 8 倍的 dram 芯片是否会淹没 x86 插槽接口并更多地用于 hbm 和 cxl 访问的远程内存？
jim handy：计算机永远不会有足够的 dram。如果 dram 是免费的，并且如果它的引脚电容不会减慢总线速度，那么每个人的使用量都会比现在多得多。相反，添加 dram 是一件成本高昂的事情，添加到任何一个通道的芯片/封装越多，运行该通道的速度就越慢，因此设计人员通常将自己限制在每个通道只有一个或两个 dimm。
换句话说：成本是一个限制器，而 dram 封装数量是一个限制器。8 倍密度的 dram 不仅可以显着降低成本，而且还可以支持非常大的 dram 阵列，具有与当今计算机已经处理的相同的封装数量和电容。
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