随着人工成本的不断提升,工厂对于工业自动化的需求越来越高。意味着工业自动化设备以及其配套的电源需求也在提升,对于电源生产企业如何通过设计以及元器件的选择来提升产品质量,进而提升市场竞争力就变得非常重要了。
mos管作为在工业自动化设备电源中的重要电子元器件,其选择代换使用就一定要对mos管厂家考核清晰。在国产化过程中,在llc拓扑结构的电路中常见会使用13n50参数的场效应管。
那么要使用什么mos管型来代换13n50产品的型号参数才能适配电路呢?有什么mos管厂家的产品是比较好用的。
其实对于工业自动化设备电源的llc拓扑结构,我们推荐使用2个fhf13n50w组成的llc拓扑结构电路。毕竟fhf13n50w是可以代换13n50场效应管的产品型号参数。
为何?因为fhf13n50w具备低导通内阻、低栅极电荷、低crss(典型值12pf)、开关速度快、100%经过雪崩测试、100%经过dvds热阻测试、100%eas测试、rohs产品、100%经过rg测试、高抗dvldt能力、一致性好、可靠性高、属于工业级产品。
从上述特点可知,这一款工业级的13a、500v电流、电压的fhf13n50w场效应管型号参数是非常适合使用在工业自动化设备电源的llc拓扑结构上。
当然,在应用中,我们研发的工程师一定要了解这款优质fhf13n50w国产场效应管的详细参数:其具有13a、500v的电流、电压, rds(on) = 0.36ω(typ) @vgs = 10 v,rds(on) = 0.45ω(max) @vgs = 10 v,最高栅源电压@vgs =±30 v。
fhf13n50w场效应管,n沟道增强型(vdmos)场效应管。该产品还可应用于高频开关电源、逆变电源、电子镇流器。可替代其它品牌型号:13n50。
fhf13n50w的封装形式是to-220f。这款产品参数:vth(v):2-4;id(a):13a;bvdss(v):500v、vgs(±v):30;。
综合以上的产品参数,工业自动化设备电源的llc拓扑结构除选用13n50场效应管外,还可以用飞虹半导体的国产型号:fhf13n50w型号参数来代换。
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