反击Altera 赛灵思2014量产16纳米FPGA

赛灵思(xilinx)将抢先在竞争对手altera之前,发表16纳米鳍式场效电晶体(finfet)现场可编程门阵列(fpga)。面对altera采用英特尔(intel)14纳米三门极电晶体(tri-gate transistor)制程,并将于2016年量产14纳米fpga的攻势,赛灵思于日前发动反击,将携手台积电采用16纳米finfet制程,抢先于2014年推出新一代fpga。
赛灵思总裁暨执行长moshe gavrielov表示,16纳米先进制程中的三维(3d)电晶体将能够让客户拥有更高效能、更低耗电的产品。赛灵思与台积电于16纳米制程的合作将延续双方过去在各项先进制程上所获得的成果。
值得一提的是,因着与赛灵思的合作,台积电也宣布将16纳米finfet制程技术的生产时程提前,将于今年发布16纳米finfet制程测试芯片,而首批fpga产品将于2014年问世。反观英特尔则预计在2014年将第二代三门极电晶体技术导入14纳米制程,并用以量产新中央处理器(cpu)。
据了解,赛灵思与台积电将共同推动一项名为finfast的专案计划,以台积电16纳米finfet制程技术打造高速、低耗电、高效能的fpga元件;双方投入所需资源组成专属研发团队,针对finfet制程与赛灵思ultrascale架构共同进行最佳化。ultrascale为赛灵思全新的特定应用集成电路(asic)等级架构,能针对从20纳米平面式制程到16纳米以及更先进的finfet制程进行微缩,亦可透过3d集成电路(ic)技术进行系统单芯片(soc)的微缩。
gavrielov指出,相较于前几个世代的制程,16纳米制程的技术复杂度高出许多,且将耗费赛灵思更多的研发成本。赛灵思在28纳米制程的研发投资为8亿美元,而先进制程的研发投资金额则至少为80亿美元。尽管如此,由于拥有先进制程技术的晶圆代工厂数量正不断增加,因此,在市场变化的带动下,投资数字大幅度跃进的情形将会有稍许的改善。此外,赛灵思为确保每个制程能具备成本效益,将花5年以上的时间设计产品,并将每项产品的生命周期延长到至少15年。
与此同时,赛灵思也将使用台积电的半导体整合生产技术--cowos(chip on wafer on substrate),实现高端3d ic系统整合及系统级效能。

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