东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更小，效率更高的工业设备
中国上海，2022年1月26日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（sic）mosfet双模块---“mg600q2yms3”和“mg400v2yms3”：前者额定电压为1200v，额定漏极电流为600a；后者额定电压为1700v，额定漏极电流为400a。作为东芝首批具有上述额定电压的产品，它们与之前发布的mg800fxf2yms3共同组成了1200v、1700v和3300v器件产品线。
这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅（si）igbt模块。两种新模块的低损耗特性满足了工业设备对提高效率、减小尺寸的需求，例如用于轨道车辆的转换器和逆变器以及可再生能源发电系统。
应用：
用于轨道车辆的逆变器和转换器 可再生能源发电系统 电机控制设备 高频dc-dc转换器 特性：
安装方式兼容si igbt模块 损耗低于si igbt模块 mg600q2yms3
vds（on）sense＝0.9v（典型值）@id＝600a，tch＝25℃
eon＝25mj（典型值），eoff＝28mj（典型值）@vds＝600v，id＝600a，tch＝150℃
mg400v2yms3
vds（on）sense＝0.8v（典型值）@id＝400a，tch＝25℃
eon＝28mj（典型值），eoff＝27mj（典型值）@vds＝900v，id＝400a，tch＝150℃
内置ntc热敏电阻 主要规格：
（除非另有说明，@tc＝25℃）
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