开关电源里面用量很大的一个元器件，电阻
引言
开关电源里面用量很大的一个元器件，电阻。
根据个人的经验，大致的聊下电阻的相关内容，也希望同行提供些资料，一起学习，探讨一下，顺便给新人提供点参考。
放电电阻
r1,r2,r3,r4的放电电阻取值。
iec60950，iec60065都有规定放电时间对应放电电压的。
x电容超过0.1uf的话基本要加上这4个电阻了。
iec60950规定1s内电压需下降至37%，iec60065规定2s内电压需降至35v。
一般情况都是通过测试去判定，1s内plug端的电压(240vrmsx1.4.1=340vpeak)下降到初始电压的37%(125.8vpeak)就pass了。
至于采用4个组成2串2并，好像是有要求放电电阻有一个失效，也要能把x电容的电放掉。
附参考图：x电容为334/340v r1=r2=r3=r4=1.5m。
放电时间与放电电压波形如图。
r1，r2，r3，r4一般采用0805的封装精度采用5%。如果输入是277的话，就要采用2并3串的方法了。（0805的耐压问题）
由于与待机功耗和pcb尺寸有关，所以很多公司都推出替代方案，取消x电容的泄放电阻，采用ic去放掉x电容的电。
也有小功率的干脆不用x电容，也可以省掉几个电阻，减小待机功耗，或者ic从这个位置取电，降低待机功耗。
电阻的国际标准
国标电阻数值e数列认读
为了使工厂生产的电阻符合标准化的要求，同时也为了使电阻的规格不致太多，国家有关部门规定了一系列的阻值作为产品的标准，这一系列的阻值就叫做电阻的标称阻值。
电阻的标称阻值分为e6、e12、e24、e48、e96、e192六大系列，分别适用于允许偏差为±20%、±10%、±5%、±2%、±1%和±0.5%的电阻器。其中
e24系列为常用系列，e24、e12和e6系列也适用于电位器和电容器，e48、e96、e192系列为高精密电阻系列。
对各系列的电阻规定几个基本系数，这些系数再乘以10n(其中n为整数)，即为某一具体电阻器阻值。
《实用开关电源设计》第三章 元器件的实用选择第二节 电阻
之前只是有了解，这些是有国际标准的，实际应用的时候就是看自己公司的仓库里面常用哪些电阻了。
然后通过不同的电路设计时考虑下仓库的电阻阻值来设计。非仓库的常规阻值另外申请。
所以看别人做的板子，如有的控制板中就会看到同样的5.1k电阻有n个，其实也就是方便生产与所有非设计阶段的管控。
放电测试
放电测试，电源的状态是否一定得处于空载？
ntc的选型
ntc1，常用的是10d-9，5d-9，5d11，2.5d15等几种型号。
对应输入特性里面的inrush current (typ.) cold start 45a（30a、60a等）
功率型ntc热敏电阻器在电路中抑制浪涌电流示意图：
ntc有个b值，简单的话就是看下ntc在不同温度下对应的阻值。对于常用的ntc热敏电阻，b值范围一般在2000k～6000k之间。
复杂点的就是按照里面的公式，计算温度，一般按5%的误差计算（温度检测用）。功率型的ntc精度应该是20%左右的，b值很大，如5d-9,25℃的时候5ω左右，高温的时候估计就不到1ω了。所以碰到过情况，客户反馈说老化后一段时间后，冲击电流变大了，超标了，又要解释一番。
相同阻值，不同b值的ntc热敏电阻r-t特性曲线示意图
ntc还有另外一个作用，雷击的时候，可以吸收部分的能量。保险丝的i2t会小些，保险丝不至于挂掉，桥堆相应的应力小点。
输入电容小也可以不要ntc的，或者ntc的阻值可以取小些。只要保险丝和桥堆能抗住冷启动瞬间的电流也没大问题。
ntc在选择时有个工作电流和工作温度范围，工作温度范围一般是-55-200℃。还有个参数是带多大的输出电容，有时候也要注意一下的。
ntc还对应了低温的问题，有的led电源-40℃的时候90vac起机闪灯。闪几下就好了，有部分原因是ntc的值太大，还有部分情况是电解电容在低温时的容值变小，esr变化等原因。
大功率的电路（高输入电压、高输入电流）里面也会有ntc，或者是抑制冲击电流的功率电阻，直流应用中继电器有时候也可以用可控硅或者igbt什么的，如图。
压敏电阻的选型
rv1：压敏电阻
反激电源常用的就是ln之间14d471k，雷击差模1kv，共模2kv就够了。
单极pfc的反激电源ln之间14d471k，有的还需要加个电解4.7-10uf左右的电容串联二极管吸收掉雷击的能量，保护mosfet。
差模2kv，共模4kv基本要加气体放电管的。600a,或者1ka，2ka。看实际情况增加。
14d471k的选择264*1.414（峰值）*1.2=447.96v，470*0.9=423v，mosfet=600v。
由于470v有±10%精度问题，加之压敏电阻雷击次数越多有个越打越薄的说法。
对于220v～240v交流电源防雷器，应选用压敏电压为470v～620v的压敏电阻较合适。
选用压敏电压高一点的压敏电阻，可以降低故障率，延长使用寿命，但残压略有增大。
压敏电阻的选型还是有点偏向于公司的传统使用方式。
一般对压敏电阻套上热缩管，主要是防爆和阻燃的作用。因为压敏电阻在失效的时候可能会炸裂，碎片会蹦到其他电子元件上，还有就是冒火焰。
有时打雷击，共模电感下有放电针会放电，或者增加1个gdt对雷击都有改善。如图。
但是这个gdt在打初级次级耐压的时候需要取消掉再打，要不打耐压ac3000v的时候会过流报警。
vcc启动电阻
vcc启动电阻：一般采用2个0805/1206或者3个0603。有的ic有高压启动脚的，习惯性的也放2个电阻串在上面消耗功率。
贴片电阻的降额与寿命
贴片电阻的耐压值如图，各个厂家的差异不大。
一般使用经验是0805耐压不超过100v，如图。实际应用用也只有启动电阻、rcd吸收、rc吸收的时候电阻电压可能超过100v。
电阻最大电压
无论你是否相信，实际电阻都有一个能承受的最大电压值。并且，这个值并不总是由功率消耗来限制决定的。电阻实际上可以被击穿（打火）。在使用表面贴片电阻的场合，由于端点之间的间隔比较近，电压限制问题尤其严重。处理电压问题时，比如说100v电压的电源，你会检查发现，任何连接到高电压的电阻都必须有耐压的要求
实用开关电源设计第一篇 第三章 第二节 电阻 里面有讲到超过100v需要考虑电阻耐压问题。
电阻规格书中体现的不同封装和系列对应的电压耐压表格。
贴片电阻的功率大部分设计的时候都不怎么考虑，信号部分处理基本是采用0603的电阻。
带吸收的部分采用0805或者1206的电阻，功率大点的情况一般采用插件电阻和水泥电阻。
由于电阻的工作温度范围一般是-55℃-125℃或者-55℃-155摄氏度，一般设计时，功率不超过该电阻功率档位的1/4。
（电阻温度很高运行的情况下超限值使用会加速电阻老化，然后阻值变大或者失效，时间大概是1-3年左右出现问题。）
温度对应电阻的功率曲线。温度越高，电阻能用到的功率越小。
所以一般工业类电源设计和led电源设计里面要满足60℃以上的环境温度，电阻在功率部分留的余量更大。
vcc绕组供电串联电阻的选型
vcc绕组供电。
输出电压变化范围宽的情况下，需要增加vcc的辅助绕组供电。
或者ic的vcc供电范围比较窄，要满足轻载、重载以及起机的情况。
ic的vcc范围比较宽，直接采用vcc绕组整流后串联个电阻使用。
r7的用法一般有的用电阻，有的可以用磁珠。电压电流范围比较宽的话，r7用插件电阻，在大电流时和高压是能帮ic减小点电压。
r7还有个用处是在切载的时候能吸收掉vcc的尖峰，避免切载时ic的vcc过高保护。
r8的取值，zd1是15v，q1进来的电压是20v，直流放大增益按照40倍（hef一般是50-300,40是留余量的算法）来算。ic工作电流为10ma，r8=（20v-15v）/（10ma/40倍）=20kω。
驱动电阻的选型
mosfet的驱动电阻、gs放电电阻、isense电阻。
整改emc时调整r9，r13。
r19，r13一般采用0805，mosfet电流较大的话采用1206，并且取消掉d3。
r10，小功率的情况可以用几个0805或者1206并联，
大功率情况下，如果电流很大，电阻上的电感对检测电路影响很大，容易出现批量问题，用绕线无感电阻比较靠谱。
电流再大的情况就要打算用电流传感器。驱动部分也要换专门的驱动芯片或者采用一对三极管来做驱动。
原副边的吸收电阻
rcd电路，里面的r选值，基本按照功率来选了，电源功率越大，r的功率相对越大。
rcd吸收电路里面的电压尖峰，这些尖峰基本上是开关管高dv/dt和di/dt时候出现的。
反激里面会用到，大功率的全桥电路里面也会用到。
rcd在调整辐射的时候，电阻对辐射影响还是有点关系的。
关于取值的计算，没有相应的公式来计算，惭愧了，基本上都是拍脑袋后，通过极限值测试后再定的。
431反馈部分的电阻
431部分的电阻选择参考。
r4一般需要保证d1能有10ma左右的电流。
r2一般保证有1ma左右的电流，用1k-5k左右的值，阻值太大，流经的电流小了，易被干扰，阻值太小，流经的电流大了，待机损耗又浪费了。
r3一般需要配合c1一起调试。习惯性的用10k+103。r6一般采用1k左右的电阻，提供d1的电流情况下，不怎么影响q1。
r4一般需要保证d1能有10ma左右的电流，如何理解？
如vout=12v，则r4可以选取820ω电阻，r4上面的电压≈12-1v（光耦）-2.5（基准）=8.5v。
极限情况下：
当电压超过12v时，431两端的电压可以很小，如2.5v以下，则光耦上会有10ma电流，初级的fb被很快拉低，pwm占空比很快变小。
当电压低于12v时，431两端的电压可以很大，接近12v，则光耦上没有电流经过，初级fb电压未被拉低，则初级pwm的占空比会增加。
这个电阻可以调节输出电压过冲，和负载突变时的输出电压变化值。
10ma为参考值，不同的电路需要调节r4的值。
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放电电阻
r1,r2,r3,r4的放电电阻取值。
iec60950，iec60065都有规定放电时间对应放电电压的。
x电容超过0.1uf的话基本要加上这4个电阻了。
iec60950规定1s内电压需下降至37%，iec60065规定2s内电压需降至35v。
一般情况都是通过测试去判定，1s内plug端的电压(240vrmsx1.4.1=340vpeak)下降到初始电压的37%(125.8vpeak)就pass了。
至于采用4个组成2串2并，好像是有要求放电电阻有一个失效，也要能把x电容的电放掉。
附参考图：x电容为334/340v r1=r2=r3=r4=1.5m。
放电时间与放电电压波形如图。
r1，r2，r3，r4一般采用0805的封装精度采用5%。如果输入是277的话，就要采用2并3串的方法了。（0805的耐压问题）
由于与待机功耗和pcb尺寸有关，所以很多公司都推出替代方案，取消x电容的泄放电阻，采用ic去放掉x电容的电。
也有小功率的干脆不用x电容，也可以省掉几个电阻，减小待机功耗，或者ic从这个位置取电，降低待机功耗。
电阻的国际标准
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为了使工厂生产的电阻符合标准化的要求，同时也为了使电阻的规格不致太多，国家有关部门规定了一系列的阻值作为产品的标准，这一系列的阻值就叫做电阻的标称阻值。
电阻的标称阻值分为e6、e12、e24、e48、e96、e192六大系列，分别适用于允许偏差为±20%、±10%、±5%、±2%、±1%和±0.5%的电阻器。其中
e24系列为常用系列，e24、e12和e6系列也适用于电位器和电容器，e48、e96、e192系列为高精密电阻系列。
对各系列的电阻规定几个基本系数，这些系数再乘以10n(其中n为整数)，即为某一具体电阻器阻值。
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之前只是有了解，这些是有国际标准的，实际应用的时候就是看自己公司的仓库里面常用哪些电阻了。
然后通过不同的电路设计时考虑下仓库的电阻阻值来设计。非仓库的常规阻值另外申请。
所以看别人做的板子，如有的控制板中就会看到同样的5.1k电阻有n个，其实也就是方便生产与所有非设计阶段的管控。
放电测试
放电测试，电源的状态是否一定得处于空载？
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ntc1，常用的是10d-9，5d-9，5d11，2.5d15等几种型号。
对应输入特性里面的inrush current (typ.) cold start 45a（30a、60a等）
功率型ntc热敏电阻器在电路中抑制浪涌电流示意图：
ntc有个b值，简单的话就是看下ntc在不同温度下对应的阻值。对于常用的ntc热敏电阻，b值范围一般在2000k～6000k之间。
复杂点的就是按照里面的公式，计算温度，一般按5%的误差计算（温度检测用）。功率型的ntc精度应该是20%左右的，b值很大，如5d-9,25℃的时候5ω左右，高温的时候估计就不到1ω了。所以碰到过情况，客户反馈说老化后一段时间后，冲击电流变大了，超标了，又要解释一番。
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ntc还有另外一个作用，雷击的时候，可以吸收部分的能量。保险丝的i2t会小些，保险丝不至于挂掉，桥堆相应的应力小点。
输入电容小也可以不要ntc的，或者ntc的阻值可以取小些。只要保险丝和桥堆能抗住冷启动瞬间的电流也没大问题。
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rv1：压敏电阻
反激电源常用的就是ln之间14d471k，雷击差模1kv，共模2kv就够了。
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差模2kv，共模4kv基本要加气体放电管的。600a,或者1ka，2ka。看实际情况增加。
14d471k的选择264*1.414（峰值）*1.2=447.96v，470*0.9=423v，mosfet=600v。
由于470v有±10%精度问题，加之压敏电阻雷击次数越多有个越打越薄的说法。
对于220v～240v交流电源防雷器，应选用压敏电压为470v～620v的压敏电阻较合适。
选用压敏电压高一点的压敏电阻，可以降低故障率，延长使用寿命，但残压略有增大。
压敏电阻的选型还是有点偏向于公司的传统使用方式。
一般对压敏电阻套上热缩管，主要是防爆和阻燃的作用。因为压敏电阻在失效的时候可能会炸裂，碎片会蹦到其他电子元件上，还有就是冒火焰。
有时打雷击，共模电感下有放电针会放电，或者增加1个gdt对雷击都有改善。如图。
但是这个gdt在打初级次级耐压的时候需要取消掉再打，要不打耐压ac3000v的时候会过流报警。
vcc启动电阻
vcc启动电阻：一般采用2个0805/1206或者3个0603。有的ic有高压启动脚的，习惯性的也放2个电阻串在上面消耗功率。
贴片电阻的降额与寿命
贴片电阻的耐压值如图，各个厂家的差异不大。
一般使用经验是0805耐压不超过100v，如图。实际应用用也只有启动电阻、rcd吸收、rc吸收的时候电阻电压可能超过100v。
电阻最大电压
无论你是否相信，实际电阻都有一个能承受的最大电压值。并且，这个值并不总是由功率消耗来限制决定的。电阻实际上可以被击穿（打火）。在使用表面贴片电阻的场合，由于端点之间的间隔比较近，电压限制问题尤其严重。处理电压问题时，比如说100v电压的电源，你会检查发现，任何连接到高电压的电阻都必须有耐压的要求
实用开关电源设计第一篇 第三章 第二节 电阻 里面有讲到超过100v需要考虑电阻耐压问题。
电阻规格书中体现的不同封装和系列对应的电压耐压表格。
贴片电阻的功率大部分设计的时候都不怎么考虑，信号部分处理基本是采用0603的电阻。
带吸收的部分采用0805或者1206的电阻，功率大点的情况一般采用插件电阻和水泥电阻。
由于电阻的工作温度范围一般是-55℃-125℃或者-55℃-155摄氏度，一般设计时，功率不超过该电阻功率档位的1/4。
（电阻温度很高运行的情况下超限值使用会加速电阻老化，然后阻值变大或者失效，时间大概是1-3年左右出现问题。）
温度对应电阻的功率曲线。温度越高，电阻能用到的功率越小。
所以一般工业类电源设计和led电源设计里面要满足60℃以上的环境温度，电阻在功率部分留的余量更大。
vcc绕组供电串联电阻的选型
vcc绕组供电。
输出电压变化范围宽的情况下，需要增加vcc的辅助绕组供电。
或者ic的vcc供电范围比较窄，要满足轻载、重载以及起机的情况。
ic的vcc范围比较宽，直接采用vcc绕组整流后串联个电阻使用。
r7的用法一般有的用电阻，有的可以用磁珠。电压电流范围比较宽的话，r7用插件电阻，在大电流时和高压是能帮ic减小点电压。
r7还有个用处是在切载的时候能吸收掉vcc的尖峰，避免切载时ic的vcc过高保护。
r8的取值，zd1是15v，q1进来的电压是20v，直流放大增益按照40倍（hef一般是50-300,40是留余量的算法）来算。ic工作电流为10ma，r8=（20v-15v）/（10ma/40倍）=20kω。
驱动电阻的选型
mosfet的驱动电阻、gs放电电阻、isense电阻。
整改emc时调整r9，r13。
r19，r13一般采用0805，mosfet电流较大的话采用1206，并且取消掉d3。
r10，小功率的情况可以用几个0805或者1206并联，
大功率情况下，如果电流很大，电阻上的电感对检测电路影响很大，容易出现批量问题，用绕线无感电阻比较靠谱。
电流再大的情况就要打算用电流传感器。驱动部分也要换专门的驱动芯片或者采用一对三极管来做驱动。
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rcd电路，里面的r选值，基本按照功率来选了，电源功率越大，r的功率相对越大。
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反激里面会用到，大功率的全桥电路里面也会用到。
rcd在调整辐射的时候，电阻对辐射影响还是有点关系的。
关于取值的计算，没有相应的公式来计算，惭愧了，基本上都是拍脑袋后，通过极限值测试后再定的。
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431部分的电阻选择参考。
r4一般需要保证d1能有10ma左右的电流。
r2一般保证有1ma左右的电流，用1k-5k左右的值，阻值太大，流经的电流小了，易被干扰，阻值太小，流经的电流大了，待机损耗又浪费了。
r3一般需要配合c1一起调试。习惯性的用10k+103。r6一般采用1k左右的电阻，提供d1的电流情况下，不怎么影响q1。
r4一般需要保证d1能有10ma左右的电流，如何理解？
如vout=12v，则r4可以选取820ω电阻，r4上面的电压≈12-1v（光耦）-2.5（基准）=8.5v。
极限情况下：
当电压超过12v时，431两端的电压可以很小，如2.5v以下，则光耦上会有10ma电流，初级的fb被很快拉低，pwm占空比很快变小。
当电压低于12v时，431两端的电压可以很大，接近12v，则光耦上没有电流经过，初级fb电压未被拉低，则初级pwm的占空比会增加。
这个电阻可以调节输出电压过冲，和负载突变时的输出电压变化值。
10ma为参考值，不同的电路需要调节r4的值。
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