三星：12寸厂到2015年将不符经济效益
三星：12寸厂到2015年将不符经济效益
三星电子(samsung electronics)高层近期表示，2010年全球半导体市场成长最快的是亚洲地区，消化全球70%芯片产出，未来包括pram 、oxram、stt-mram、polymer memory等技术，皆有助于提升效率并降低成本，都是存储器技术的明日之星，而现在位居主流地位的12寸晶圆厂，预计到2015年将不符合经济效益，届时将迎接18寸晶圆厂时代来临。
三星电子资深副总裁文周泰(joo-tai moon)日前参加首尔semicon国际半导体展时指出，在全球半导体市场中，亚洲地区成长最快，预计在2011年底前会消化全球70%芯片产出。他同时认为，包括pram (phase change memory)、oxram (oxide-based memory)、stt-mram (electro-resistant magneto-tunnel affect)等新兴技术，将成为存储器技术的明日之星，预计现在居主流地位的12寸晶圆厂，到2015年便将不符合经济效益。
事实上，全球半导体产业景气逐渐回春，台积电和联电分别提高2010年资本支出至48亿及12亿~15亿美元，其中，大部分都是用于扩充12寸晶圆厂，晶圆双雄 2010年资本支出皆超过金融海啸前2008年的水平;三星电子2010年半导体资本支出则约8.5兆韩元(约73亿美元)，较2008年60亿美元成长逾20%。
在***dram产业方面，以台塑集团旗下南亚科和华亚科2010年资本支出规模最为可观，2家合计将支出达新台币720亿元。以整个***半导体产业来看，2010年设备市场规模将达59.2亿美元，2011年上看77.6亿美元，而2010年半导体材料市场规模可达78.5亿美元，2011年上看85.5亿美元。
未来在科技新产品应用上，三星认为，医疗照护、机器人和车用市场相当受到关注，其中，声音辨识加上空间视觉处理、人工智能等技术精进，对于机器人技术有很大挹注。另外，在存储器领域，未来发展恐将面临瓶颈。
目前存储器业者最烦恼的问题是，nand flash技术恐面临制程微缩极限，虽然业者声称nand flash技术在10奈米是可行的，但目前仅止于实验室阶段，未来3d技术可望解决此瓶颈障碍，因此，不少存储器大厂如三星、东芝(toshiba)等都投入开发3d技术，近期新的电荷撷取快闪存储器(charge trap flash;ctf)便逐渐崛起。
根据ctf架构，nand flash元件由钽金属(ta)、氧化铝(aluminum oxide)、氮化物(nitride)、氧化物(oxide)和矽晶层(silicon)组成，因此，亦称为tanos架构，其运作方式是不使用浮动闸，而是从氧化层间的绝缘氮化矽层中撷取电荷，可控制所储存电流，避免资料流失。
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三星电子(samsung electronics)高层近期表示，2010年全球半导体市场成长最快的是亚洲地区，消化全球70%芯片产出，未来包括pram 、oxram、stt-mram、polymer memory等技术，皆有助于提升效率并降低成本，都是存储器技术的明日之星，而现在位居主流地位的12寸晶圆厂，预计到2015年将不符合经济效益，届时将迎接18寸晶圆厂时代来临。
三星电子资深副总裁文周泰(joo-tai moon)日前参加首尔semicon国际半导体展时指出，在全球半导体市场中，亚洲地区成长最快，预计在2011年底前会消化全球70%芯片产出。他同时认为，包括pram (phase change memory)、oxram (oxide-based memory)、stt-mram (electro-resistant magneto-tunnel affect)等新兴技术，将成为存储器技术的明日之星，预计现在居主流地位的12寸晶圆厂，到2015年便将不符合经济效益。
事实上，全球半导体产业景气逐渐回春，台积电和联电分别提高2010年资本支出至48亿及12亿~15亿美元，其中，大部分都是用于扩充12寸晶圆厂，晶圆双雄 2010年资本支出皆超过金融海啸前2008年的水平;三星电子2010年半导体资本支出则约8.5兆韩元(约73亿美元)，较2008年60亿美元成长逾20%。
在***dram产业方面，以台塑集团旗下南亚科和华亚科2010年资本支出规模最为可观，2家合计将支出达新台币720亿元。以整个***半导体产业来看，2010年设备市场规模将达59.2亿美元，2011年上看77.6亿美元，而2010年半导体材料市场规模可达78.5亿美元，2011年上看85.5亿美元。
未来在科技新产品应用上，三星认为，医疗照护、机器人和车用市场相当受到关注，其中，声音辨识加上空间视觉处理、人工智能等技术精进，对于机器人技术有很大挹注。另外，在存储器领域，未来发展恐将面临瓶颈。
目前存储器业者最烦恼的问题是，nand flash技术恐面临制程微缩极限，虽然业者声称nand flash技术在10奈米是可行的，但目前仅止于实验室阶段，未来3d技术可望解决此瓶颈障碍，因此，不少存储器大厂如三星、东芝(toshiba)等都投入开发3d技术，近期新的电荷撷取快闪存储器(charge trap flash;ctf)便逐渐崛起。
根据ctf架构，nand flash元件由钽金属(ta)、氧化铝(aluminum oxide)、氮化物(nitride)、氧化物(oxide)和矽晶层(silicon)组成，因此，亦称为tanos架构，其运作方式是不使用浮动闸，而是从氧化层间的绝缘氮化矽层中撷取电荷，可控制所储存电流，避免资料流失。
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