动态随机存储器集成工艺（DRAM）详解
在当前计算密集的高性能系统中，动态随机存储器（dram）和嵌入式动态随机存取存储器（embedded-dram，edram)是主要的动态快速读/写存储器。先进的 dram 存储单元有两种，即深沟槽（deep tench）式存储单元和堆叠（slack）式电容存储单元。 70nm 技术节点后，堆叠式电容存储单元逐渐成为业界主流。为了使系统向更高速、高密度、低功耗不断优化，dram存储单元也在不断微缩（如14nm 工艺节点）。
上图所示为 dram 的制造工艺流程。由图可见，堆叠式电容存储单元在 cmos 场效应晶体管之后(mol中）形成的，主要用于制造独立式的高密度 dram；而深沟槽式电容存储单元是在 cmos 场效应晶体管之前（feol 之始）形成的，因此不会影响cmos 场效应晶体管的特性，比较适合将dram 和逻辑电路集成在同一晶片上，因此称为edram （嵌人式 dram)。
新型的 edram 可以集成在 14nm 高性能的 finfet 逻辑技术平合上（利用soi 和高k 金属栅技术)，如图所示。深沟槽式电容器在 feol 的开始阶段就已经形成，单元沟槽电容可达 10ff。电容器的上电极采用的是用原子层沉积（ald）的tin 薄膜。填充在沟槽电容器的重掺杂多晶硅连接到鳍式场效应晶体管（finfet)，即存储单元的传输管 (pass transistor)。
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