MOS管做电源开关的经验分享
一般的电源开关电路，控制电源的目的是省电，控制静态电流。不过以下的电路存在着几个缺点：
1.管压降较大
我们知道采用pnp管子作为开关管的饱和压降在0～0.3v，这在低电路上是不可接受的。3.3v的控制电源最大误差变成3v，某些1.5v的电源变成1.2v，这会导致由此供电的芯片损坏。
pmos的管子压降为vdrop=id×rdson，rdson可选择，实际的值在1欧以内。
2.控制电流
我们知道ib和ic是相关的，饱和放大系数一般的设计为30，因此我们通过200ma的电流的时候，ib=200/30=7ma，这样导致了控制电路功耗较大。
3.开关管功耗
我们知道三极管的功耗计算公式为pd=veb×ib+vec×ic，vec饱和时0～0.3v的条件下，当通过电流较大的时候，开关管的功耗就很大。
比较而言，pmos的导通电阻rdson较小(也可选择)，p=rdson×id^2。
pmos高压电路设计(12v)电路
对比pnp电路设计
低压开关(nmos)【5v，3.3v，1.5v】
nmos导通关闭条件：
这里使用pnp管直接使nm os的g和vin导通，这样nmos才可以完全导通，要是不能使vin完全和nmos的g完全接通，就使用最上面的pmos的方案，如果接成如下的情况：
结果
当photo control为高定平，9014导通，640断开。当photo control为低电平，9014断开，640导通，可此时640上ds间3~4v的压降，本意dc=vbat(8v) ,现在dc只有3点几伏电压;
原因：
npn+pmos才做电源控制，这是npn+nmos，r21直接换成0欧就通了，只不过没有控制什么事了。
还有nmos的衬底一般做出来的时候是和源极接在一起的，开机nmos需控制电压(相对衬底)大于开启电压，这样接衬底完全悬空了，现在的电路无论怎么控制都达不到要求，电路本身设计就错了，nmos一般是做低输出的，pmos才是高输出电路，这个性质和三极管的npn和pnp差不多的。ttl中用三极管，ttl能驱动mos，mos不能驱动ttl。
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原因：
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