英飞凌高压超结 MOSFET 系列产品新增工业级和车规级器件，用于静态开关应用
【2023年7月27日，德国慕尼黑讯】在静态开关应用中，电源设计侧重于最大程度地降低导通损耗、优化热性能、实现紧凑轻便的系统设计，同时以低成本实现高质量。为满足新一代解决方案的需求，英飞凌科技股份公司（fse代码：ifx / otcqx代码：ifnny）正在扩大其coolmos™ s7 系列高压超结（sj）mosfet 的产品阵容。该系列器件主要适用于开关电源（smps）、太阳能系统、电池保护、固态继电器（ssr）、电机启动器和固态断路器以及可编程逻辑控制器（plc）、照明控制、高压电子保险丝/电子断路器和（混动）电动汽车车载充电器等应用。
该产品组合进行了重要扩充，新增了创新的 qdpak顶部冷却（tsc）封装，能够在较小的封装尺寸内实现丰富的功能。这些特性使得该器件在低频开关应用中极具优势，同时还可以降低成本。得益于新型大功率 qdpak 封装，这款器件的导通电阻值仅为 10 mω，在市场上同电压等级产品中以及采用smd 封装的产品中属于最低值。coolmos s7/s7a 解决方案通过最大程度地降低 mosfet 产品的导通损耗，提高了整体效率，并提供了一种简单易用且经济高效的方式来提高系统性能。
coolmos s7 电源开关还借助已改进的热阻来有效管理散热，通过采用创新、高效的 qdpak 封装，减少甚至消除了固态设计中对散热器的需求，从而使系统变得更加紧凑和轻便。该系列 mosfet产品提供顶部散热和底部散热两种封装形式，均能够抵御高脉冲电流，并应对突然的浪涌电流。此外，该系列 mosfet产品还具有体二极管的稳健性，能够确保在交流线路换向期间可靠运行。
由于所需的元器件较少，coolmos™ s7系列高压超结（sj）mosfet能够减少零部件的数量，进而实现灵活的系统集成，降低bom（材料清单）成本和总体拥有成本（tco）。同时，该系列mosfet 产品还能缩短反应时间，尤其在断开电流时，能够更加平稳、高效地运行。
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coolmos s7 电源开关还借助已改进的热阻来有效管理散热，通过采用创新、高效的 qdpak 封装，减少甚至消除了固态设计中对散热器的需求，从而使系统变得更加紧凑和轻便。该系列 mosfet产品提供顶部散热和底部散热两种封装形式，均能够抵御高脉冲电流，并应对突然的浪涌电流。此外，该系列 mosfet产品还具有体二极管的稳健性，能够确保在交流线路换向期间可靠运行。
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