意法半导体推出超结型MDmesh V系列--STW88N65M
意法半导体(stmicroelectronics)推出超结型mdmesh v系列-- stw88n65m，新产品的导通电组(on-resistance per area)仅为0.029欧姆，是标准to-247封装650伏特市场上导通电组最低的产品，打破同是mdmesh v之0.038欧姆的原产业指标。
其实，mdmesh v系列的金属氧化物半导体场效电晶体(mosfet)之高压功率已打破世界记录，其拥有每单位面积最低的导通电组，使能在650伏特额定电压应用中实现最高的能效和功率密度。
然而，新产品有过之无不及地提高能效指标至23%以上，对以热量形式损耗电能的系统功率转换电路，如电子照明控制器、消费性电子电源和太阳能电力转换器， 能为其在节能技术领域跨大步。设计工程人员可将新产品替代导通电组较高的mosfet，以提高终端应用的能效，或置入更少的mosfet电晶体，从而减少 封装尺寸并降低材料(bom)成本。
功率电晶体市场总监maurizio giudice表示，新记录巩固意法半导体在超接面(super-junction)mosfet市场的地位，mdmesh v展现意法半导体最新经市场验证的多重漏极网格(multi-drain mesh)技术，新产品的更高性能降低应用设计能耗。
值得注意的是，该公司mdmesh v系列产品拥有高安全范围，能提高mosfet对交流(ac)电力线上一般一边突波电压的承受能力。已上市的新产品，采用多种类型的封装，包括 max247、to-247、d2pak、to-220/扁平封装(flat package, fp)、powerflat 8×8 hv以及i2pak。
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