非隔离式LED驱动器的参考设计方案介绍
本应用笔记提出了一种非隔离式led驱动器的参考设计，该驱动器旨在直接从400vdc输入进行操作。该设计以400ma驱动一串27个wled（白色led）或可选的6个琥珀色led。拓扑是带有变压器的不连续反激。具有max16801 hb（高亮度）led控制器。
简要电路说明
该参考设计是用于离线环境（400vdc）的反激式led驱动器。该设计可在400ma的电流下驱动27个wled（白色led）。安装跳线j1后，该设计以400ma的电流驱动6个琥珀色led。该设计使用max16801 hb led控制器和一个三绕组变压器（耦合电感器）。由于电流感应直接馈入ic控制环路，因此没有电气隔离。
变压器的匝数比为18：6：1。初级电感为800µh，额定电流为750ma（峰值），占空比始终小于50％。
工作频率为265khz，并且不可调节。过压保护（非闩锁）为120v。紫外线检测电平为310v。开启延迟时间约为43毫秒，此后vin约为22v，ic将开始驱动外部mosfet。反过来，这将导致vin电容器衰减，直到自举绕组可以提供支持为止。由于led在低电压下的高阻抗，主要的次级负载最初将仅是输出电容器。次级与第三级匝数比为6：1，这意味着一旦在输出电容器两端形成60v电压，自举绕组将为ic提供10v电压。对于6 led灯串选项（即，安装了j1），在ic可用10v电压之前，输出电容器显然必须充电至10.7v。
计算得出的电感初级绕组的峰值电流为750ma。通过将次级绕组夹在中间的分流式初级，可以将漏电感降至最低。测量的初级泄漏电感小于5µh。由于该值很低，因此没有专门的措施来消散漏感能量。所有泄漏能量都在mosfet本身中消散。变压器温升低于30°c。
开关mosfet具有隔离片，可将散热器接地。这样可以最大程度地减少经历高速电压瞬变的金属表面积，从而最大程度地降低辐射emi。mosfet的温度升高不到40°c。
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