美光将利用IBM 3D制程制造首颗商用内存芯片
近日，ibm表示促使美光(micron)的混合式记忆体立方体(hybrid memory cube)在不久成为第一颗采用3d制程的商用芯片。
美光将会开始生产利用ibm的3d芯片制程硅穿孔(through-silicon vias; tsvs)所打造的第一颗芯片。硅穿孔制程将运用在美光的混合式记忆体立方之中。美光芯片的部分零件将会在ibm位于纽约的晶圆厂生产。
ibm在美国华盛顿举行的ieee 国际电子装置会议上展示它的tsv制程技术。
对于美光而言，混合式记忆体立方(hmc)是dram封装的一项突破。hmc的原型能以每秒128gb的速率执行，相较于目前的记忆体芯片的速率为12.8 gb/s。hmc使用的电力也少了70%。
hmc将会运用在网路与高效能运算设备、工业自动化与消费性产品等。目前hmc将主要针对高端用户。
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