意法半导体(stmicroelectronics)正与globalfoundries公司洽谈转移完全耗尽型绝缘上覆硅(fdsoi)制程技术的相关细节,期望于2013年第四季在globalfoundries于德国德勒斯登(dresden)的 fab 1 代工厂实现量产。
st宣称,在相同的功耗条件下,其28nm fdsoi 制程比28nm cmos 制程所能实现的性能能更高30%以上,或者在相同的性能时,其28nm可节省更高达50%的动态功耗。这是因为fdsoi制程可让电压降低到0.6v,而cmos只能降低至0.9v,st前段制程部门执行副总裁joel hartmann解释。
hartmann说,业界多家公司採用了由soi联盟提供的 28nm fdsoi 实体设计套件。然而,他们还希望能够确保这一制程性能提升以符合其需求,因而必须展开与globalfoundries的进一步合作。
「我们已经与globalfoundries之间建立一项合作备忘录(mou)了,现在我们正洽谈合作细节,」hartmann表示。globalfoundries已在2012年6月与st以及其它客户签署了 fdsoi 晶片代工合约。st先前已在其于法国crolles的晶圆厂导入28nm fdsoi 制程。
为了补充法国crolles厂的产能,hartmann说,globalfoundries将在其于德国dresden fab 1厂导入这项 fdsoi 制程,目前该厂进行的是32/28nm cmos 制造。「如果我们在这个月或从二月开始的话,globalfoundries可望在2013年第四季开始量产 fdsoi ,」hartmann说。
hartmann坦承,soi晶片的塬始晶片成本大约是标準硅晶的两到叁倍。但 fdsoi制程更简单,因而更能节省成本以及提高良率,他说,「fdsoi制程成本比cmos更便宜10-12%,这将使我们能够在大量制造时完全弥补soi基底的额外成本,」hartmann说。
st子公司st-ericsson推出的一款lte modem-应用处理器── l8580 ,採用28nm fdsoi 制造,预计将在今年第一季出样。altera公司一位资深工程师针对 fdsoi 进行评估fdsoi 表示,该技术还能为 fpga 带来特别的好处。「在st内部,我们也期望应用该新制程于功耗格外重要的消费电子领域,」hartmann说。不过,他并未透露st的哪些产品或产品线将会转移至fdsoi制程制造。
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