Vishay发布11颗采用Gen II超级结技术的新款500V高压MOSFET
宾夕法尼亚、malvern — 2015 年 1 月22 日 — 日前，vishay intertechnology， inc.（nyse 股市代号：vsh）宣布，其500v系列高压mosfet新增11颗新器件，这些器件适合应用在功率不超过500w的开关电源。这些vishay siliconix mosfet具有与e系列600v和650v器件相同的优点极低导通损耗和开关损耗等，可帮助客户达到更高的性能/效率标准，例如某些高性能消费类产品、照明应用，以及atx/银盒pc开关电源所要求的严格的80 plus转换效率标准。
今天推出的这些500v mosfet采用第二代超级结技术制造，为基于标准平面技术的vishay现有的500v d系列提供了高效率的补充产品。器件的电流从12a到20a，具有190mω～380mω的低导通电阻和22nc～45nc的超低栅极电荷，这种组合为功率转换应用提供了十分有利的优值系数（fom）。
器件的低导通电阻还有助于提高功率密度，同时其更快的开关速度可提高如功率因数校正（pfc）、双开关正激转换器和反激式转换器等典型硬开关拓扑的效率。
器件符合rohs，可承受雪崩和换流模式里的高能脉冲，并且保证限值通过100%的uis测试。
器件规格表：
新的500v功率mosfet现可提供样品，并已实现量产，供货周期为十六周到十七周。
vishay简介
vishay intertechnology， inc. 是在纽约证券交易所上市（vsh）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、mosfet和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使vishay成为了全球业界领先者。
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