新一代存储芯片将打破现有模式?它们会成为主导者吗?

相信电子行业的伙伴们都知道三星和sk海力士,在存储芯片领域中也是其中的佼佼者,在行业内排名前两位。据媒体报道,这两家巨头正在加速3d dram的商业化,以改变内存行业的游戏规则。事实上,在dram行业排名第三的美光公司从2019年就开始了3d dram的研究,并获得了三星和sk海力士的两到三倍的专利。
据《韩国商业报》报道,业内人士透露,三星和sk海力士高管在最近的一些官方活动中使用了3d dram,以此来克服dram的物理限制。三星表示,3d dram是未来半导体行业的增长动力。sk海力士认为,大约在明年,3d dram的电气特性细节将被公开,从而确定其发展方向。
3d dram是一种具有新结构的内存芯片,它打破了原有的模型。目前,dram产品开发的重点是通过减小电路的行宽来提高密度。然而,当行宽进入10nm的范围内,物理约束,如电容泄漏和干涉显着增加。为此,业界推出了高k材料和极紫外线(euv)设备等新材料和新设备。但是,对于各个dram厂商来说,要做出10nm或者更先进的小芯片,仍然是一个巨大的挑战。
与目前的dram市场不同,3d dram领域暂时没有绝对的领导者。美光在3d dram技术竞争中起步较早,拥有更多的专利。三星和sk海力士可能会加快3d dram的商业化进程,尽快进入量产阶段,从而更早抢占市场。
目前,三星和sk海力士生产的最先进的dram都采用了12nm左右的工艺。考虑到距离10nm越来越近,在未来三到四年内,采用新结构的dram芯片的商业化几乎是必然的。而不是选择。那么日后三星和sk海力士会不会成为dram芯片的主导者呢?让我们拭目以待!


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