UnitedSiC宣布推出适用大型反激式AC-DC的SiC JFET晶片
2019年3月19日，美国加州anaheim应用电源电子会议（apec），美国新泽西州普林斯顿 --- 碳化硅（sic）功率半导体制造商unitedsic宣布已经推出一系列适用于与具备内置低压mosfet的控制器ic共同封装的sic jfet晶片，由此可制造出速度极快，基于共源共栅的20～100w反激式产品。这些常导通型sic jfet的工作电压范围为650～1700v，可帮助实现简化的启动方案，具有零待机功耗，是大型反激式ac-dc应用市场的理想选择，其中包括消费类电子适配器和辅助电源等应用。
控制器ic制造商可受益于较小的晶片尺寸，并具有极低rds（on）和电容。常导通型jfet在与控制器ic中集成的低qg低压mosfet配合使用时，有助于满足轻载和空载下功率消耗的相关法规。
sic jfet在应对重复的雪崩和短路时具有非常强大的能力，使sic共源共栅在实用中非常稳健。sic jfet与控制ic中的lv mosfet串联连接，常导通型jfet的源极电压在jfet关断之前升至12v，ic开始切换。经过jfet的电流路径可以用作控制器ic的启动电源。在转换器开始工作后，来自转换器变压器的辅助电源被门控（gated-in），没有进一步的功率损耗。
典型的低功率反激式应用包括笔记本电脑和移动设备充电器（20～65 w）等消费类电子辅助设备，其他应用还包括工业应用（如电机驱动）的宽输入（高达1400v）反激辅助电源，以及长led串等高功率照明应用。
unitedsic首席执行官chris dries表示：“随着这些新型sic jfet的推出，unitedsic现在已经位居业内拥有最广泛sic功率产品组合厂商之列，我们能够通过晶片和分立封装形式来提供高性能jfet功能。”
供货信息
目前仅有unitedsic能够提供七种晶片可供选择，电压额定值为从650～1700v，rds（on）值低至140mω，晶片具备三种尺寸，可小至0.8 mm x 0.8mm，以便于实现共同封装。
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