中国半导体成为全球最大市场，但芯片自给率仅14%
根据semi的统计，2017年全球半导体设备销售额为570亿美元，而全球半导体材料市场销售额为469亿美元，二者的市场总额约为1039亿美元，相当于华为一年的销售额。
根据gartner的数据，2017年半导体产业的市场总额为4197亿美元，其中设备+材料占了整个市场的24.76%。
大陆地区半导体材料市场销售额逐年增长
据前瞻产业研究院数据显示，2017年，全球半导体材料产业规模达到469.3亿美元，同比增长9.60%。目前，半导体材料市场主要分为晶圆材料和封装材料市场，其中晶圆材料2017年市场规模达278.0亿美元，封装材料市场规模达191.1亿美元。
从区域来看，***地区由于大型晶圆厂和先进的封装场聚集，连续第八年成为最大的半导体材料消费地区，成交金额为103亿美元，市场份额达10.29%，年成长率达12%。而大陆地区紧随其中，市场份额达7.62%，年成长率达12%。其次是韩国和日本。
值得一提的是，近年来大陆地区半导体材料市场销售额逐年攀升。2011年，大陆地区半导体材料市场销售额仅48.6亿美元；至2017年，大陆地区半导体材料销售额升至76.2亿美元，增长了56.8%。毫无疑问，大陆地区是全球半导体材料市场增长最快速的地区之一。
硅产业链稳步追赶，化合物半导体产业链初现
半导体材料市场主要分为晶圆材料和封装材料市场。目前晶圆材料形成了当今以硅为主、新型半导体材料为补充的产业局面。
据报告显示，硅已经成为应用最广的一种半导体材料，从半导体器件产值来看，全球95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路采用硅作为衬底材料。
尽管目前硅的核心地位稳固，但受到其物理特性的限制，以砷化镓(gaas)、氮化镓(gan)、碳化硅(sic)为代表的化合物半导体材料依然成为继硅之后发展最快、应用最广、产量最大的半导体材料。
化合物半导体市场被国外巨头垄断
众所周知，大陆地区的化合物半导体产业体系仍处于发展之初，高技术门槛的化合物半导体衬底市场仍旧被日本、美国、德国厂商主导。但近几年大陆地区也出现了具备一定量产能力的sic衬底制造商，如天科合达蓝光。
具体来看，gaas衬底目前已被日本住友电工、德国freiberg、美国axt、日本住友化学四家占据，四家份额超90%；gan自支撑衬底目前主要由日本三家企业住友电工、三菱化学、住 友化学垄断，占比合计超 85%；
sic衬底龙头为美国 cree(wolfspeed 部门)，市场占比超三分之一，其次为德国sicrystal、美国 ii-vi、美国 dow corning，四家合计份额超90%。
而从外延工艺市场来看，外延生长主要包括 mocvd(化学气相沉淀)技术以及mbe(分 子束外延)技术两种。英国iqe及***地区全新光电两家份额合计达80%，其中英国iqe市场占比超60%。
化合物半导体晶圆的下游应用
从具体应用来看，化合物半导体下游具体应用主要可分为两大类：光学器件和电子设备。对于gaas材料而言，sc gaas(单晶砷化镓)主要应用于光学器件，si gaas(半绝缘砷化镓) 主要应用于电子器件。
在光学器件中，led为占比最大一项，ld/pd、vcsel成长空间大。美国cree公司大约70%收入来自led，其余来自功率、射频、sic晶圆；sic衬底80%的市场来自二极管，在所有宽禁带半导体衬底中，si材料是最为成熟的。
此外gaas可制造红外光led，常见的应用于遥控器红外发射，gan则可以制造紫外光 led。gaas、gan分别制造的红光、蓝光激光发射器可以应用于cd、dvd、蓝光光盘的读取。
在电子器件中，主要为射频和功率应用。gan on sic、gan自支撑衬底、gaas衬底、gaas on si主要应用于射频半导体(射频前端pa等)；而gan on si以及sic衬底主要应用于功率半导体(汽车电子等)。
报告指出，尽管我国半导体产业目前正处于快速发展阶段，但总体来看存在总体产能较低，全球市场竞争力弱，核心芯片领域国产化程度低，对国外依赖程度较高等现状。2017年中国半导体消费额1315亿美元，占全球32%，已成为全球最大市场，但芯片自给率仅14%，具有较大追赶空间。
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从区域来看，***地区由于大型晶圆厂和先进的封装场聚集，连续第八年成为最大的半导体材料消费地区，成交金额为103亿美元，市场份额达10.29%，年成长率达12%。而大陆地区紧随其中，市场份额达7.62%，年成长率达12%。其次是韩国和日本。
值得一提的是，近年来大陆地区半导体材料市场销售额逐年攀升。2011年，大陆地区半导体材料市场销售额仅48.6亿美元；至2017年，大陆地区半导体材料销售额升至76.2亿美元，增长了56.8%。毫无疑问，大陆地区是全球半导体材料市场增长最快速的地区之一。
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尽管目前硅的核心地位稳固，但受到其物理特性的限制，以砷化镓(gaas)、氮化镓(gan)、碳化硅(sic)为代表的化合物半导体材料依然成为继硅之后发展最快、应用最广、产量最大的半导体材料。
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具体来看，gaas衬底目前已被日本住友电工、德国freiberg、美国axt、日本住友化学四家占据，四家份额超90%；gan自支撑衬底目前主要由日本三家企业住友电工、三菱化学、住 友化学垄断，占比合计超 85%；
sic衬底龙头为美国 cree(wolfspeed 部门)，市场占比超三分之一，其次为德国sicrystal、美国 ii-vi、美国 dow corning，四家合计份额超90%。
而从外延工艺市场来看，外延生长主要包括 mocvd(化学气相沉淀)技术以及mbe(分 子束外延)技术两种。英国iqe及***地区全新光电两家份额合计达80%，其中英国iqe市场占比超60%。
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在光学器件中，led为占比最大一项，ld/pd、vcsel成长空间大。美国cree公司大约70%收入来自led，其余来自功率、射频、sic晶圆；sic衬底80%的市场来自二极管，在所有宽禁带半导体衬底中，si材料是最为成熟的。
此外gaas可制造红外光led，常见的应用于遥控器红外发射，gan则可以制造紫外光 led。gaas、gan分别制造的红光、蓝光激光发射器可以应用于cd、dvd、蓝光光盘的读取。
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