欧司朗克服LED芯片的Droop效应 提高发光效率
日前，led光电巨头欧司朗宣布，公司通过优化外延工艺，可以大大减少led芯片的droop效应，使led的量子效率在电流密度为每平方毫米3安（3a/mm2）的条件下相比以往提高7.5%。从而获得led性能上的提升，极大改善了高功率led的发光效率。
欧司朗光电克服droop效应大大提升高功率led效率
据悉，led的droop效应是指向芯片输入较大电力时led的光效反而会降低的现象。droop效应决定了单个led所能工作的最大电流，因而要实现大光通量必须采用多颗led或多芯片，或者通过采用增加芯片面积的方式而减少电流密度的方法，这就会导致高功率led器件的成本大幅增加。在led业界和学术界，droop效应一直是大家争相研究和攻克的技术难题。
欧司朗表示，目前公司的工程师已经克服了这个难题，实现了led器件效率的显著提高。在实验室条件下，欧司朗验证了在每平方毫米3安（3a/mm2）的电流密度下，可实现ledqfn封装芯片的典型光通量为740流明，这样的表现比以往的典型值（6200k，cx0.319，cy0.323，单芯片版本ldxyz）提高了约7.5%。同时在每平方毫米0.35安（0.35a/mm2）的低电流密度下，优化后的led仍然有4%的效率提高。
“通过对led外延片的大范围修订和完善，我们已经能够大幅减少led芯片的droop现象。”项目经理alexanderfrey博士表示，目前公司所有的led器件都采用了基于ux：3芯片技术的新工艺。欧司朗光电表示，新工艺也将对其它大功率led产品产生积极的影响。目前公司有计划将新的技术成果一步步集成到现有的产品组合当中。
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