大进展，中科大研制出高保真度的可集成固态量子存储器
集微网消息，据中国科学技术大学报道，中国科学技术大学郭光灿院士团队在量子存储领域取得重要进展。该团队李传锋、周宗权等人采用飞秒激光微加工技术制备出高保真度的可集成固态量子存储器，并基于自主研制设备首次实现稀土离子的电子自旋及核自旋相干寿命的全面提升。相关成果分别于2月20号和28号发表在著名物理学期刊optica和physical review applied上。
图片来源：中国科学技术大学官网
据悉，量子存储器是构建量子网络的核心器件，它可以有效地克服信道损耗从而拓展量子通信的工作距离并且可以整合分处异地的量子计算及量子传感资源。
当前固态量子存储器研究面临两方面的挑战，一方面，已有的固态量子存储实验使用的存储介质大多是块状晶体，这种材料不能直接对接光纤网络或集成光学芯片，难以实现大规模扩展性应用。另一方面，稀土离子的电子自旋及核自旋与晶体内声子相互作用，导致量子存储器的相干寿命严重受限。
为解决扩展性问题，研究组采用飞秒激光微加工技术首次在掺铕硅酸钇晶体中刻蚀出光波导，研制出可集成的固态量子存储器。波导区域距晶体表面150微米，波导宽度为20微米，可以与其他微纳电子学及微纳光学器件进行集成加工。由于波导区域内的光场功率密度高，实验所需的控制激光功率相比块状晶体所需功率下降了约30倍。实验中演示了原子频率梳（afc）以及低噪声回波恢复（rose）两种光量子存储方案，并通过参考光信号与存储器读出光信号之间的干涉，测定了存储保真度。两种方案对应的保真度分别超过99%和97%，表明这种可集成量子存储器具有很高的可靠性。
针对相干寿命受限的问题，一个有效解决方案是构造深低温(<0.5k)的脉冲式电子与核自旋双共振谱仪(endor)，从而减少声子并极化电子自旋。由于传统的商用endor 系统内热负载很高，其工作温度一般无法低于4k，此前国际学术界普遍认为深低温 endor 是个无法实现的任务。研究组在解决了系列技术难题后，成功搭建出国际首个深低温脉冲式电子与核自旋双共振谱仪，并严格标定其最低工作温度为0.1k。在0.1k温度下，测得掺钕硅酸钇晶体的自旋回波信号的信噪比相比4k温度下提升了20倍，电子自旋的布居数寿命和相干寿命分别达到15秒和2毫秒，同时核自旋的布居数寿命和相干寿命则分别达到10分钟和40毫秒，这四项寿命指标相比4k温度下均实现超过一个数量级的提升。
据了解，目前该工作已得到科技部、国家自然科学基金委、中科院、安徽省的资助。
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图片来源：中国科学技术大学官网
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当前固态量子存储器研究面临两方面的挑战，一方面，已有的固态量子存储实验使用的存储介质大多是块状晶体，这种材料不能直接对接光纤网络或集成光学芯片，难以实现大规模扩展性应用。另一方面，稀土离子的电子自旋及核自旋与晶体内声子相互作用，导致量子存储器的相干寿命严重受限。
为解决扩展性问题，研究组采用飞秒激光微加工技术首次在掺铕硅酸钇晶体中刻蚀出光波导，研制出可集成的固态量子存储器。波导区域距晶体表面150微米，波导宽度为20微米，可以与其他微纳电子学及微纳光学器件进行集成加工。由于波导区域内的光场功率密度高，实验所需的控制激光功率相比块状晶体所需功率下降了约30倍。实验中演示了原子频率梳（afc）以及低噪声回波恢复（rose）两种光量子存储方案，并通过参考光信号与存储器读出光信号之间的干涉，测定了存储保真度。两种方案对应的保真度分别超过99%和97%，表明这种可集成量子存储器具有很高的可靠性。
针对相干寿命受限的问题，一个有效解决方案是构造深低温(<0.5k)的脉冲式电子与核自旋双共振谱仪(endor)，从而减少声子并极化电子自旋。由于传统的商用endor 系统内热负载很高，其工作温度一般无法低于4k，此前国际学术界普遍认为深低温 endor 是个无法实现的任务。研究组在解决了系列技术难题后，成功搭建出国际首个深低温脉冲式电子与核自旋双共振谱仪，并严格标定其最低工作温度为0.1k。在0.1k温度下，测得掺钕硅酸钇晶体的自旋回波信号的信噪比相比4k温度下提升了20倍，电子自旋的布居数寿命和相干寿命分别达到15秒和2毫秒，同时核自旋的布居数寿命和相干寿命则分别达到10分钟和40毫秒，这四项寿命指标相比4k温度下均实现超过一个数量级的提升。
据了解，目前该工作已得到科技部、国家自然科学基金委、中科院、安徽省的资助。
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