结合F4系列描述关于FLASH的相关内容
flash，指flash memory，是一种非易失性存储器（闪存），掉电能正常保存数据。
stm32的存储器通常包含内部sram、内部flash，部分系列还包含eeprom。其中flash通常用于存储代码或数据，可被读写访问。
1
stm32 flash 基础内容
stm32的flash组织结构，可能因不同系列、型号略有不同。比如大家熟悉的stm32f1中小容量一页大小只有1k，而f1大容量一页有2k。
还比如有些系列以扇区为最小单元，有的扇区最小16k，有的128k不等。
本文主要结合f4系列来描述关于flash的相关内容。
1.flash 结构
通常flash包含几大块，这里以f40x为例：
主存储器：用来存放用户代码或数据。
系统存储器：用来存放出厂程序，一般是启动程序代码。
otp 区域：一小段一次性可编程区域，供用户存放特定的数据。
选项字节：存放与芯片资源或属性相关的配置信息。
2.flash 常规操作
flash 读、写（编程）、擦除：
128 位宽数据读取
字节、半字、字和双字数据写入
扇区擦除与全部擦除
（提示：不同系列可能存在差异，比如还有字节读取，页擦除等）
flash 读、写保护：通过配置选项字节实现。
3.flash 容量
stm32的flash容量出厂已经决定，可根据型号得知容量大小。
4.存储器端格式
目前stm32存储器组织结构默认为小端格式：数据的低字节保存在内存的低地址。
更多内容请查阅芯片对应的参考手册。
2
flash 选项字节
stm32内部flash具有读写保护功能，想要对flash进行读写操作，首先要去除读写保护，读写保护通过配置选项字节完成。
配置选项字节，常见两种方式：1.软件编码；2.编程工具；
1.软件编码
比如stm32f4系列标准外设库库提供函数：
void flash_ob_unlock（void）;void flash_ob_lock（void）;void flash_ob_wrpconfig（uint32_t ob_wrp， functionalstate newstate）;void flash_ob_wrp1config（uint32_t ob_wrp， functionalstate newstate）;void flash_ob_pcropselectionconfig（uint8_t ob_pcrop）;void flash_ob_pcropconfig（uint32_t ob_pcrop， functionalstate newstate）;void flash_ob_pcrop1config（uint32_t ob_pcrop， functionalstate newstate）;void flash_ob_rdpconfig（uint8_t ob_rdp）;void flash_ob_userconfig（uint8_t ob_iwdg， uint8_t ob_stop， uint8_t ob_stdby）;void flash_ob_borconfig（uint8_t ob_bor）;void flash_ob_bootconfig（uint8_t ob_boot）;flash_status flash_ob_launch（void）;uint8_t flash_ob_getuser（void）;uint16_t flash_ob_getwrp（void）;uint16_t flash_ob_getwrp1（void）;uint16_t flash_ob_getpcrop（void）;uint16_t flash_ob_getpcrop1（void）;flagstatus flash_ob_getrdp（void）;uint8_t flash_ob_getbor（void）;
软件编码通过调用这些函数接口就可以配置选项字节。
2.编程工具
比如stm32cubeprog编程工具：
配置stm32选项字节，还可通过st-link utility、stvp等类似工具进行配置。
提示：不同型号的stm32选项字节可能略有差异。
3
flash 读写擦除操作
stm32内部flash和其他外部flash类似，支持读、写、擦除等常规操作。对内部flash操作之前通常需要解锁、去保护等操作。
比如：
flash_ob_lock（）;flash_ob_wrpconfig（ob_wrp_sector_all， enable）;flash_ob_pcropconfig（ob_pcrop_sector_all， enable）;
1.读数据
读取内部flash数据通常有两种方式：
通过程序（编码）读取
通过外部（编程）工具读取
程序（编码）读取：
uint32_t uwdata32 = 0;uint32_t uwaddress = 0x08001000;uwdata32 = *（__io uint32_t*）uwaddress;
外部编程工具读取：读取前提：没有读保护，设置好读取地址，长度、数据宽度等。
2.写数据
往stm32内部flash写数据和读数据类似，但写数据地址不能有数据，也就是写之前要擦除数据。
所以，相对读数据，通常写之前需要一些额外操作，比如：
flash_unlock（）;flash_clearflag（flash_flag_eop | flash_flag_operr | flash_flag_wrperr | flash_flag_pgaerr | flash_flag_pgperr|flash_flag_pgserr）;
通过工具写数据，就是我们量产时说的下载数据，正式一点说法叫编程。
3.擦除数据
擦除数据通常分擦除页、扇区、整块，擦除时间也因型号不同、速度不同有差异。
提示：该部分内容建议参考官方提供的demo（标准外设库和hal都有基本例程）
4
flash 常见问题
stm32内部flash主要用途是存储程序代码和数据。操作内部flash要慎重，一旦操作不当就有可能会破坏整个程序。
问题一：编程（写数据）地址非对齐
写数据时，我们要指定写入的地址，如果写入地址为非对齐，则会出现编程对齐错误。
比如：
遵循32位（4字节）地址对齐，你的地址只能是4的倍数。0x08001000正确，0x08001001错误。
提示：不同型号对齐宽度可能不同，有的32位、有的128位等。
解决办法：通过“取余”判断地址。
问题二：编程地址数据未擦除
写数据之前需要擦除对应地址数据才能正常写入，否则会出现失败。
我们擦除数据通常是页，或扇区，写入某个地址数据，就可能影响其他地址的数据，如果直接覆盖就会出现问题。
解决办法：通常的做法是读出整页（或扇区）数据并缓存，再擦除整页，再写入。
问题三：擦除时读取数据
stm32内部flash在进行写或擦除操作时，总线处于阻塞状态，此时读取flash数据就会出现失败。【双bank模式除外】
解决办法：通过标志判断写/擦除操作是否完成。
问题四：电压不稳定写入失败
处于外界干扰较大的环境，供电就有暂降的可能，而对stm32内部flash进行操作时，如果低于特定电压就会出现编程失败。
操作flash的最低电压既与工作频率有关，也与stm32型号有关（具体需要看数据手册）。
解决办法：通过完善硬件电路保证电压稳定。电源电压不够或不稳导致隐患往往不易觉察！！
复盘一下▼flash 基础内容：结构、常规操作、容量、大小端格式；▼flash 选项字节：通过软件编码和编程工具配置；▼flash 读写擦除操作：常规程序读写操作、工具的读写操作；▼flash 常见问题：编程地址非对齐、数据未擦除、擦除同时读取数据、电压不稳定写入失败。
原文标题：stm32学习笔记 | 片内flash读写失败问题分析
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还比如有些系列以扇区为最小单元，有的扇区最小16k，有的128k不等。
本文主要结合f4系列来描述关于flash的相关内容。
1.flash 结构
通常flash包含几大块，这里以f40x为例：
主存储器：用来存放用户代码或数据。
系统存储器：用来存放出厂程序，一般是启动程序代码。
otp 区域：一小段一次性可编程区域，供用户存放特定的数据。
选项字节：存放与芯片资源或属性相关的配置信息。
2.flash 常规操作
flash 读、写（编程）、擦除：
128 位宽数据读取
字节、半字、字和双字数据写入
扇区擦除与全部擦除
（提示：不同系列可能存在差异，比如还有字节读取，页擦除等）
flash 读、写保护：通过配置选项字节实现。
3.flash 容量
stm32的flash容量出厂已经决定，可根据型号得知容量大小。
4.存储器端格式
目前stm32存储器组织结构默认为小端格式：数据的低字节保存在内存的低地址。
更多内容请查阅芯片对应的参考手册。
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flash 选项字节
stm32内部flash具有读写保护功能，想要对flash进行读写操作，首先要去除读写保护，读写保护通过配置选项字节完成。
配置选项字节，常见两种方式：1.软件编码；2.编程工具；
1.软件编码
比如stm32f4系列标准外设库库提供函数：
void flash_ob_unlock（void）;void flash_ob_lock（void）;void flash_ob_wrpconfig（uint32_t ob_wrp， functionalstate newstate）;void flash_ob_wrp1config（uint32_t ob_wrp， functionalstate newstate）;void flash_ob_pcropselectionconfig（uint8_t ob_pcrop）;void flash_ob_pcropconfig（uint32_t ob_pcrop， functionalstate newstate）;void flash_ob_pcrop1config（uint32_t ob_pcrop， functionalstate newstate）;void flash_ob_rdpconfig（uint8_t ob_rdp）;void flash_ob_userconfig（uint8_t ob_iwdg， uint8_t ob_stop， uint8_t ob_stdby）;void flash_ob_borconfig（uint8_t ob_bor）;void flash_ob_bootconfig（uint8_t ob_boot）;flash_status flash_ob_launch（void）;uint8_t flash_ob_getuser（void）;uint16_t flash_ob_getwrp（void）;uint16_t flash_ob_getwrp1（void）;uint16_t flash_ob_getpcrop（void）;uint16_t flash_ob_getpcrop1（void）;flagstatus flash_ob_getrdp（void）;uint8_t flash_ob_getbor（void）;
软件编码通过调用这些函数接口就可以配置选项字节。
2.编程工具
比如stm32cubeprog编程工具：
配置stm32选项字节，还可通过st-link utility、stvp等类似工具进行配置。
提示：不同型号的stm32选项字节可能略有差异。
3
flash 读写擦除操作
stm32内部flash和其他外部flash类似，支持读、写、擦除等常规操作。对内部flash操作之前通常需要解锁、去保护等操作。
比如：
flash_ob_lock（）;flash_ob_wrpconfig（ob_wrp_sector_all， enable）;flash_ob_pcropconfig（ob_pcrop_sector_all， enable）;
1.读数据
读取内部flash数据通常有两种方式：
通过程序（编码）读取
通过外部（编程）工具读取
程序（编码）读取：
uint32_t uwdata32 = 0;uint32_t uwaddress = 0x08001000;uwdata32 = *（__io uint32_t*）uwaddress;
外部编程工具读取：读取前提：没有读保护，设置好读取地址，长度、数据宽度等。
2.写数据
往stm32内部flash写数据和读数据类似，但写数据地址不能有数据，也就是写之前要擦除数据。
所以，相对读数据，通常写之前需要一些额外操作，比如：
flash_unlock（）;flash_clearflag（flash_flag_eop | flash_flag_operr | flash_flag_wrperr | flash_flag_pgaerr | flash_flag_pgperr|flash_flag_pgserr）;
通过工具写数据，就是我们量产时说的下载数据，正式一点说法叫编程。
3.擦除数据
擦除数据通常分擦除页、扇区、整块，擦除时间也因型号不同、速度不同有差异。
提示：该部分内容建议参考官方提供的demo（标准外设库和hal都有基本例程）
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flash 常见问题
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写数据时，我们要指定写入的地址，如果写入地址为非对齐，则会出现编程对齐错误。
比如：
遵循32位（4字节）地址对齐，你的地址只能是4的倍数。0x08001000正确，0x08001001错误。
提示：不同型号对齐宽度可能不同，有的32位、有的128位等。
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问题二：编程地址数据未擦除
写数据之前需要擦除对应地址数据才能正常写入，否则会出现失败。
我们擦除数据通常是页，或扇区，写入某个地址数据，就可能影响其他地址的数据，如果直接覆盖就会出现问题。
解决办法：通常的做法是读出整页（或扇区）数据并缓存，再擦除整页，再写入。
问题三：擦除时读取数据
stm32内部flash在进行写或擦除操作时，总线处于阻塞状态，此时读取flash数据就会出现失败。【双bank模式除外】
解决办法：通过标志判断写/擦除操作是否完成。
问题四：电压不稳定写入失败
处于外界干扰较大的环境，供电就有暂降的可能，而对stm32内部flash进行操作时，如果低于特定电压就会出现编程失败。
操作flash的最低电压既与工作频率有关，也与stm32型号有关（具体需要看数据手册）。
解决办法：通过完善硬件电路保证电压稳定。电源电压不够或不稳导致隐患往往不易觉察！！
复盘一下▼flash 基础内容：结构、常规操作、容量、大小端格式；▼flash 选项字节：通过软件编码和编程工具配置；▼flash 读写擦除操作：常规程序读写操作、工具的读写操作；▼flash 常见问题：编程地址非对齐、数据未擦除、擦除同时读取数据、电压不稳定写入失败。
原文标题：stm32学习笔记 | 片内flash读写失败问题分析
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