Vishay新款N沟道TrenchFET功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录
宾夕法尼亚、malvern — 2012 年 6 月28 日 — 日前，vishay intertechnology, inc.(nyse 股市代号：vsh)宣布，推出新款8v n沟道trenchfet®功率mosfet---sia436dj。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型powerpak® sc-70封装，具有n沟道器件中最低的导通电阻。
新的sia436dj在4.5v、2.5v、1.8v、1.5v和1.2v下具有9.4mω、10.5mω、12.5mω、18mω和36mω的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%，比2mm x 2mm占位面积的最接近的n沟道器件最多低64%。
sia436dj可用于智能手机、平板电脑，以及移动计算应用等便携式电子产品中的负载切换。器件的超小尺寸powerpak sc-70封装可在这些应用中节省pcb空间，同时其低导通电阻可以减少传导损耗，达到降低功耗、提高效率的目的。
mosfet在1.2v电压下就可导通，使mosfet可以采用手持设备中常见的低压电源轨进行工作，简化了电路设计，使电池在两次充电周期之间的工作时间更长。sia436dj的低导通电阻还可以减低负载开关上的电压降，防止出现讨厌的欠压锁定现象。
sia436dj通过了100%的rg测试，符合iec 61249-2-21的无卤素规定，符合rohs指令。
新的sia436dj trenchfet功率mosfet现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周。
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