深入探讨FLASH被非法改写的问题
问题描述：某stm32客户反馈， 当stm32f407v芯片频繁的正常通断电的时候，flash 会被非法改写，出现各种各样的异常（整片被擦除、中断向量表被改写、写保护被清除等等）。
经过与跟客户沟通了解到 :
•他们是延续之前的项目，进行的一些软硬件简单修改。之前的项目没有出现过类似的问题。
•确认通断电的时间是足够，即断电后所有的vdd都回到0；上电的时序也正常。
•原理图参考了st相关开发板的参考设计。
•测量工作时的电压，除了发觉上电时会有一些抖动外，其它一切正常。尝试让他们改善上电电路，去掉这一抖动，再次实验，仍然出现类似的问题。
到这里似乎跟硬件没关联了， 接着对客户代码进行删减又做了如下实验：
1，去掉app 部分代码，仅仅留下iap代码。做相同的实验，问题再现。
2，进一步删减程序，去掉程序中所有跟flash以及option byte 相关的部分，做相同的
实验，问题依旧。
3，没招，再删，最后仅仅留下下面程序：
客户反应只要调用了delay_init函数就会出问题，不调用就不会出问题（仅仅做了一天的实验）。到这里似乎跟软件有关系了，我们进一步分析发现他们改写了我们的systick的config函数，那么我就做下一个实验。
1，改为标准库中的systick例程，去掉写保护，加一个gpio定时翻转程序。同时在烧录之后，加上写保护，做相同的实验，问题再现。
2，改为标准库中的systick例程，去掉写保护，加一个gpio定时翻转。同时在烧录之后，加上写保护，做相同的实验，问题还是再现。
3，到这里我们有点怀疑是芯片真的有损伤了。我们又用cubemx生成了一个gpio翻转和systick的延时，做相同的实验，问题照旧。
4，到此，我们一方面请芯片设计人员做进一步确认，看看芯片是否真的坏了。同时，我们抱着怀疑一切的态度，请客户的硬件工程师再次确认他们的硬件和原理图的一致性，我们怀疑他们的硬件是否有装错的元器件。主要集中在mcu周边。最后他们的工程师反馈，stm32的pdr_on脚，板子上装的元器件跟原理图不一致。他们把r47和r48都装了，那么相当于在pdr_on上是一个0.6v的电压，也就是关断了mcu内部复位。
真是山穷水尽疑无路，柳暗花明又一村，看来问题应该跟内部复位有关。
查看stm32f407数据手册，可以看到相关信息。
从上面规格书来看，stm32f407v的内部复位电路可以选择性开启或关闭，如果选择关闭mcu内部的复位电路，需要在外部接一个复位监测电路保证vdd达到正常工作电压之前一直使mcu处于复位状态。而这里，客户本意并不想关闭内部复位，外部也没有相应的电源监测复位电路。既然这样,根据手册描述，pdr_on脚接到vdd即可。具体到这里，去掉r48这个1k欧姆的电阻。重做实验验证，异常消失。
结论
其实之前也碰到过另外西安客户发生过频繁上电不工作的情况。因他们是使用了旧的数据手册，没有把pdr_on脚拉到vdd 所致。
对于st mcu来说，这个pdr_on引脚有的封装是被引出来了，有的封装没有引出，如果没有引出的是默认使能内部复位功能，如果引出的话，大家也要当心有的型号是拉低使能内部复位；有的是拉高使能内部复位，设计和使用时注意这点。
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•原理图参考了st相关开发板的参考设计。
•测量工作时的电压，除了发觉上电时会有一些抖动外，其它一切正常。尝试让他们改善上电电路，去掉这一抖动，再次实验，仍然出现类似的问题。
到这里似乎跟硬件没关联了， 接着对客户代码进行删减又做了如下实验：
1，去掉app 部分代码，仅仅留下iap代码。做相同的实验，问题再现。
2，进一步删减程序，去掉程序中所有跟flash以及option byte 相关的部分，做相同的
实验，问题依旧。
3，没招，再删，最后仅仅留下下面程序：
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1，改为标准库中的systick例程，去掉写保护，加一个gpio定时翻转程序。同时在烧录之后，加上写保护，做相同的实验，问题再现。
2，改为标准库中的systick例程，去掉写保护，加一个gpio定时翻转。同时在烧录之后，加上写保护，做相同的实验，问题还是再现。
3，到这里我们有点怀疑是芯片真的有损伤了。我们又用cubemx生成了一个gpio翻转和systick的延时，做相同的实验，问题照旧。
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结论
其实之前也碰到过另外西安客户发生过频繁上电不工作的情况。因他们是使用了旧的数据手册，没有把pdr_on脚拉到vdd 所致。
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