Intel、美光宣布投产25nm NAND闪存
intel、美光宣布投产25nm nand闪存
由intel、美光合资组建的im flash technologies, llc(imft)公司今天宣布，已经开始使用25nm工艺晶体管试产mlc nand闪存芯片，并相信足以领先其他竞争对手长达一年之久。imft公司在闪存工艺上一向非常激进，每12-15个月便升级一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年则率先达到了34nm，在业内领先六个月左右，也让intel提前抢先发布了34nm第二代x25-m固态硬盘，美光也即将推出realssd c300系列。imft生产的闪存芯片有49%供给intel客户、51%供给美光客户。
imft 25nm nand闪存的量产将从今年第二季度开始，下半年开始批量出货，正好赶上intel预计年底发布的第三代x25-m固态硬盘，容量有160gb、320gb、600gb等。
率先投产的25nm nand闪存芯片使用了沉浸式光刻技术(对intel来说是史上第一次)，内核面积167平方毫米，容量8gb(64gb)，每单元容量2比特(2-bit-per-cell)。
imft 25nm nand闪存支持开放式nand闪存接口onfi 2.2，界面速度最高可达200mb/s，页面(page)尺寸从50/34nm时代的4kb翻番到了8kb，块(block)尺寸从128个页面加倍到256个页面，这些对性能提升都大有好处，intel x25-m系列几乎必然能够再次狂飙了(只要固件别再出问题)。
此前的32nm 4gb 2-bpc mlc nand闪存芯片面积为172平方毫米，也就是说工艺升级后容量翻了一番，尺寸却减小了9.7%。
其实去年imft还宣布了34nm工艺的3-bpc mlc nand闪存计划，容量同为4gb，核心面积则只有126平方毫米。这种芯片只适合廉价或者对寿命要求不那么严格的产品，比如u盘，在固态硬盘上无论性能还是可靠性都不值得。
虽然半导体工艺日益复杂，但imft对未来充满信心，已经瞄准了10mm工艺，相当于只有大约20个原子并排的宽度，还在考虑电荷陷阱型存储(ctm)技术(取代现有的浮动栅极技术)和3d垂直堆叠技术。
按照12-15个月的升级周期，imft的下一代新工艺应该会在2011年年中诞生，2012年初投入实用，也许那时候固态硬盘将真正迎来主流地位。
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