irf540n开关电路
irf540n的生产厂家是sanyo 、ir、vishay，封装类型为to-220ab。
irf540n基本信息 产品型号：irf540n生产厂家：sanyo 、ir、vishay描述：晶体管极性：n沟道漏极电流， id 最大值：33a电压， vds 最大：100v开态电阻， rds（on）：0.04ohm电压 @ rds测量：10v电压， vgs 最高：10v功耗：94w封装类型：to-220ab针脚数：3功率， pd:120w器件标记：irf540n引脚节距：2.54mm晶体管数：1晶体管类型：mosfet温度 @ 电流测量：25°c满功率温度：25°c热阻， 结至外壳 a:1.1°c/w电压 vgs @ rds on 测量：10v电压， vds 典型值：100v电流， id 连续：27a电流， idm 脉冲：110a表面安装器件：通孔安装针脚格式：1 g2 d/tab3 s针脚配置：a阈值电压， vgs th 典型值：4v
irf540n设计个开关电路图n沟道mos管 负载串在漏极，源极接地，栅极用10v左右电压控制，记得栅极要加下拉电阻。
5v电压稍低，540可能不会完全导通。
如何用单片机5v控制24v3a电路的通断，手上有irf540n。irf540n阈值电压 vgs th 典型值：4v，保证其工作在开关状态，要求vgs至少大于4.5以上（跟所需求的负载电流有关）。
5v单片机的输出口接口高电平，当负载电流小于10ua时输出电压为4.5v，当负载电流300ua时输出电压为3.75v。
因此如果要用io口直接驱动irf540n，需保证io口负载电流在10ua以下才符合工程设计的需求。给出示意图，供参考
这个是大电流输出时候的vgs要求，其最大电流可以达到33a。你目前只有3a，按照我给你的电路图能够驱动。指标是有相对性的，最有效的办法是看器件的参数曲线。
p沟道的管子使用的时候你只需要记住几件事情：
当栅极（g）的电压比漏极的电压（d）小5v以上（有的管子可以更低），管子就开始导通，压差越大，g和s（源极）之间的电阻就越小，损耗也就越小，但是不能太大。
还有一件事情就是g和s之间的最大耐压，元器件手册上有说明。
最后就是g和s之间容许通过的最大电流，这个元器件手册上写的也很清楚。 说的够明白了。
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irf540n设计个开关电路图n沟道mos管 负载串在漏极，源极接地，栅极用10v左右电压控制，记得栅极要加下拉电阻。
5v电压稍低，540可能不会完全导通。
如何用单片机5v控制24v3a电路的通断，手上有irf540n。irf540n阈值电压 vgs th 典型值：4v，保证其工作在开关状态，要求vgs至少大于4.5以上（跟所需求的负载电流有关）。
5v单片机的输出口接口高电平，当负载电流小于10ua时输出电压为4.5v，当负载电流300ua时输出电压为3.75v。
因此如果要用io口直接驱动irf540n，需保证io口负载电流在10ua以下才符合工程设计的需求。给出示意图，供参考
这个是大电流输出时候的vgs要求，其最大电流可以达到33a。你目前只有3a，按照我给你的电路图能够驱动。指标是有相对性的，最有效的办法是看器件的参数曲线。
p沟道的管子使用的时候你只需要记住几件事情：
当栅极（g）的电压比漏极的电压（d）小5v以上（有的管子可以更低），管子就开始导通，压差越大，g和s（源极）之间的电阻就越小，损耗也就越小，但是不能太大。
还有一件事情就是g和s之间的最大耐压，元器件手册上有说明。
最后就是g和s之间容许通过的最大电流，这个元器件手册上写的也很清楚。 说的够明白了。
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