电源芯片选择什么好？什么是 LDO（低压降）稳压器?
这个取决于你的应用场合。比如用在升压场合，当然只能用dc/dc，因为ldo是压降型，不能升压。另外看下各自的主要特点：dc/dc:效率高，噪声大；ldo:噪声低，静态电流小；
所以如果是用在压降比较大的情况下，选择dc/dc，因为其效率高，而ldo会因为压降大而自身损耗很大部分效率；
如果压降比较小，选择ldo，因为其噪声低，电源干净，而且外围电路简单，成本低。ldo是low dropout regulator，意为低压差线性稳压器，是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78xx系列的芯片都要求输入电压要比输出电压高出2v~3v以上，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5v转3.3v,输入与输出的压差只有1.7v，显然是不满足条件的。针对这种情况，才有了ldo类的电源转换芯片。ldo线性降压芯片：原理相当于一个电阻分压来实现降压，能量损耗大，降下的电压转化成了热量，降压的压差和负载电流越大，芯片发热越明显。这类芯片的封装比较大，便于散热。
ldo线性降压芯片如：2596，l78系列等。dc/dc降压芯片：在降压过程中能量损耗比较小，芯片发热不明显。芯片封装比较小，能实现pwm数字控制。dc/dc降压芯片如：tps5430/31，tps75003，max1599/61,tps61040/41关于ldo电源以前经常看见，说什么芯片是ldo的，以为是某一公司的名号。现在才知道，ldo是low dropout regulator，意为低压差线性稳压器，是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78xx系列的芯片都要求输入电压要比输出电压高出2v~3v以上，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5v转3.3v,输入与输出的压差只有1.7v，显然是不满足条件的。针对这种情况，才有了ldo类的电源转换芯片。生产ldo芯片的公司很多，常见的有alpha, linear(lt), micrel, national semiconductor,ti等。
什么是 ldo（低压降）稳压器?
ldo 是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 fet，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mv 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的ldo（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 pnp。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mv 左右；与之相比，使用 npn 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2v 左右。负输出 ldo 使用 npn 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 ldo 的 pnp设备类似。
更新的发展使用 cmos 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。使用 cmos，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 on 电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。ldo vs dcdcdcdc的意思是直流变（到）直流（不同直流电源值的转换），只要符合这个定义都可以叫dcdc转换器，包括ldo。但是一般的说法是把直流变（到）直流由开关方式实现的器件叫dcdc。
ldo是低压降的意思，这有一段说明：低压降（ldo）线性稳压器的成本低，噪音低，静态电流小，这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容。新的ldo线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30μv，psrr为60db，静态电流6μa，电压降只有100mv。ldo线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平，主要原因在于其中的调整管是用p沟道mosfet，而普通的线性稳压器是使用pnp晶体管。p沟道mosfet是电压驱动的，不需要电流，所以大大降低了器件本身消耗的电流；另一方面，采用pnp晶体管的电路中，为了防止pnp晶体管进入饱和状态而降低输出能力， 输入和输出之间的电压降不可以太低；而p沟道mosfet上的电压降大致等于输出电流与导通电阻的乘积。由於mosfet的导通电阻很小，因而它上面的电压降非常低。
如果输入电压和输出电压很接近，最好是选用ldo稳压器，可达到很高的效率。所以，在把锂离子电池电压转换为3v输出电压的应用中大多选用ldo稳压器。虽说电池的能量最後有百分之十是没有使用，ldo稳压器仍然能够保证电池的工作时间较长，同时噪音较低。如果输入电压和输出电压不是很接近，就要考虑用开关型的dcdc了，应为从上面的原理可以知道，ldo的输入电流基本上是等于输出电流的，如果压降太大，耗在ldo上能量太大，效率不高。
dc-dc转换器包括升压、降压、升/降压和反相等电路。dc-dc转换器的优点是效率高、可以输出大电流、静态电流小。随著集成度的提高，许多新型dc-dc转换器仅需要几只外接电感器和滤波电容器。但是，这类电源控制器的输出脉动和开关噪音较大、成本相对较高。
近几年来，随著半导体技术的发展，表面贴装的电感器、电容器、以及高集成度的电源控制芯片的成本不断降低，体积越来越小。由於出现了导通电阻很小的mosfet可以输出很大功率，因而不需要外部的大功率fet。例如对于3v的输入电压，利用芯片上的nfet可以得到5v/2a的输出。其次，对于中小功率的应用，可以使用成本低小型封装。另外，如果开关频率提高到1mhz，还能够降低成本、可以使用尺寸较小的电感器和电容器。有些新器件还增加许多新功能，如软启动、限流、pfm或者pwm方式选择等。
总的来说，升压是一定要选dcdc的，降压，是选择dcdc还是ldo，要在成本，效率，噪声和性能上比较。ldo体积小，干扰较小，当输入与输出电压差较大的化，转换效率低。dc-dc好处就是转换效率高，可以大电流，但输出干扰较大，体积也相对较大。ldo一般是指线性的稳压器--low drop out, 而dc/dc则是线性式和开关式稳压器的总称.如果你的输出电流不是很大(如3a以内), 而且输入输出压差也不大(如3.3v转2.5v等)就可以使用ldo的稳压器(优点是输出电压的ripple很小). 否则最好用开关式的稳压器, 如果是升压, 也只能用开关式稳压器(如果ripple控制不好,容易影响系统工作).ldo的选择
当所设计的电路对分路电源有以下要求：1、高的噪音和纹波抑制；2、占用pcb板面积小，如手机等手持电子产品；3、电路电源不允许使用电感器，如手机；4、电源需要具有瞬时校准和输出状态自检功能；5、要求稳压器低压降，自身功耗低；6、要求线路成本低和方案简单；此时，选用ldo是最恰当的选择，同时满足产品设计的各种要求
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所以如果是用在压降比较大的情况下，选择dc/dc，因为其效率高，而ldo会因为压降大而自身损耗很大部分效率；
如果压降比较小，选择ldo，因为其噪声低，电源干净，而且外围电路简单，成本低。ldo是low dropout regulator，意为低压差线性稳压器，是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78xx系列的芯片都要求输入电压要比输出电压高出2v~3v以上，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5v转3.3v,输入与输出的压差只有1.7v，显然是不满足条件的。针对这种情况，才有了ldo类的电源转换芯片。ldo线性降压芯片：原理相当于一个电阻分压来实现降压，能量损耗大，降下的电压转化成了热量，降压的压差和负载电流越大，芯片发热越明显。这类芯片的封装比较大，便于散热。
ldo线性降压芯片如：2596，l78系列等。dc/dc降压芯片：在降压过程中能量损耗比较小，芯片发热不明显。芯片封装比较小，能实现pwm数字控制。dc/dc降压芯片如：tps5430/31，tps75003，max1599/61,tps61040/41关于ldo电源以前经常看见，说什么芯片是ldo的，以为是某一公司的名号。现在才知道，ldo是low dropout regulator，意为低压差线性稳压器，是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78xx系列的芯片都要求输入电压要比输出电压高出2v~3v以上，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5v转3.3v,输入与输出的压差只有1.7v，显然是不满足条件的。针对这种情况，才有了ldo类的电源转换芯片。生产ldo芯片的公司很多，常见的有alpha, linear(lt), micrel, national semiconductor,ti等。
什么是 ldo（低压降）稳压器?
ldo 是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 fet，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mv 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的ldo（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 pnp。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mv 左右；与之相比，使用 npn 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2v 左右。负输出 ldo 使用 npn 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 ldo 的 pnp设备类似。
更新的发展使用 cmos 功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。使用 cmos，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 on 电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。ldo vs dcdcdcdc的意思是直流变（到）直流（不同直流电源值的转换），只要符合这个定义都可以叫dcdc转换器，包括ldo。但是一般的说法是把直流变（到）直流由开关方式实现的器件叫dcdc。
ldo是低压降的意思，这有一段说明：低压降（ldo）线性稳压器的成本低，噪音低，静态电流小，这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容。新的ldo线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30μv，psrr为60db，静态电流6μa，电压降只有100mv。ldo线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平，主要原因在于其中的调整管是用p沟道mosfet，而普通的线性稳压器是使用pnp晶体管。p沟道mosfet是电压驱动的，不需要电流，所以大大降低了器件本身消耗的电流；另一方面，采用pnp晶体管的电路中，为了防止pnp晶体管进入饱和状态而降低输出能力， 输入和输出之间的电压降不可以太低；而p沟道mosfet上的电压降大致等于输出电流与导通电阻的乘积。由於mosfet的导通电阻很小，因而它上面的电压降非常低。
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