ADGM1001 SPDT MEMS开关如何助力通过单插入测试

先进的数字处理器ic要求通过单独的dc参数和高速数字自动测试设备(ate)测试,以达到质保要求,这带来了很大的成本和组织管理挑战。本文介绍 adgm1001 spdt mems开关如何助力一次性通过单插入测试,以帮助进行dc参数测试和高速数字测试,从而降低测试成本,简化数字/rf片上系统(soc)的测试流程。
图1.操作员将负载板安装到测试仪上,以测试数字soc
ate挑战
半导体市场在不断发展,为5g调制解调器ic、图像处理ic和中央处理ic等先进的处理器提供速度更快、密度更高的芯片间通信。在这种复杂性不断提高、需要更高吞吐量的形势下,保证质量成为如今的ate设计人员面临的终极挑战。一个关键方面是:发射器(tx)/接收器(rx)通道数量不断增加,需要进行高速数字和dc参数测试。这些挑战导致半导体测试越来越复杂,如果不加以解决,会导致测试时间更长、负载板更复杂和测试吞吐量下降。而在现代ate环境中,这会导致运营费用(opex)增加,产出降低。
要解决这些ate挑战,需要使用能在dc频率和高频率下运行的开关。adgm1001能传输真正的0 hz dc信号,以及高达64 gbps的高速信号。这让我们得以构建高效的单个测试平台(一次插入),可配置为测试dc参数标准和高速数字通信标准,例如pcie gen 4/5/6、pam4和usb 4。
图2.adgm1001眼图,32 gbps(rf1至rfc,包含参考波形,使用的伪随机测试码prbs 215-1)。
如何测试hsio引脚?
在高产量生产环境中测试高速输入输出(hsio)接口是一大挑战。验证hsio接口的一种常见方法是采用高速环回测试结构。这会将高速测试路径和dc测试路径集成在同一个配置中。
要执行高速环回测试,通常从发射器高速发射一个伪随机位序列(prbs),在负载板或测试板上环回之后由接收器接收,如图3(左侧)所示。在接收端,对序列进行分析,以计算误码率(ber)。
dc参数测试(例如连续性和泄漏测试)在i/o引脚上进行,以确保器件功能正常。要执行这些测试,需要将引脚直接连接到dc仪器上,用该仪器施加电流并测量电压,以测试故障。
要在dut i/o上执行高速环回测试和dc参数测试,可以使用多种方法来测试数字soc;例如,使用mems开关或继电器,或使用两种不同类型的负载板,一种用于执行高速测试,另一种用于执行dc测试,这需要两次插入。
使用继电器执行高速测试和dc参数测试变得很有挑战性,因为大多数继电器的工作频率不超过8 ghz,因此用户必须在信号速度和测试范围方面做出让步。此外,继电器体积大,会占用很大的pcb面积,这会影响解决方案的尺寸。继电器的可靠性一直备受关注,它们通常只能支持1000万个开关周期,这限制了系统的正常运行时间和负载板的寿命。
图3显示用于执行高速环回测试和dc参数测试的两种插入测试方法。图3中,左侧显示高速数字环回测试设置,其中dut的发射器通过耦合电容接至接收器。图3右侧显示dc参数测试设置,其中dut引脚直接连接至ate测试仪进行参数测试。到目前为止,受组件限制,还无法在同一个负载板上同时提供高速环回功能和dc测试功能。
图3.两种插入测试方法的示意图。
与两次插入测试相关的挑战
管理两套硬件:用户必须维护和管理进行dc和环回测试所需的两套负载板。这使成本大幅增加,尤其是在测试大量器件时。
延长测试时间,增加测试成本:两次插入测试意味着每个dut必须测试两次,因此每次测试的索引时间将增加一倍,最终会增加测试成本,并显著影响测试吞吐量。
测试时间优化:使用两套硬件时,测试时间无法优化。如果一个器件导致第二次插入失败,成本会进一步增加。第一次插入则会浪费测试仪时间。
更易出现操作错误:由于每个dut都要测试两次,出现操作错误的几率也会翻倍。
解决方案设置× 2: 两种测试插入方法涉及两组硬件,使得硬件设置时间翻倍。
组织管理成本:两次插入测试,意味着需要移动更多组件。需要在两个测试仪之间,甚至两个测试室之间移动组件,带来了规划和组织管理挑战。
利用出色密度解决两次插入问题
adi公司的34 ghz mems开关技术采用小巧的5 mm × 4 mm × 0.9 mm lga封装,提供高速数字测试功能和dc测试功能,如图4所示。要执行高速数字测试,来自发射器的高速信号经由开关,路由传输回到接收器,在解码之后,进行ber分析。要执行dc参数测试,该开关将引脚连接到dc ate测试仪进行参数测试,例如连续性和泄漏测试,以确保器件功能正常。在执行dc参数测试期间,mems开关还提供与ate进行高频通信的选项,可以满足某些应用的需求。
图4.adgm1001支持高速数字测试和dc测试(只突出显示p通道)。
图5显示高速数字测试解决方案,分别使用继电器和使用adgm1001 mems开关进行比较。使用mems开关时,解决方案的尺寸比使用继电器时缩减近50%,这是因为adgm1001采用5 × 4 × 0.9 mm lga封装,比典型的继电器小20倍。pcie gen 4/5、pam4、usb 4和serdes等高频标准驱动多个发射器和接收器通道,这些通道需要紧密排布在pcb上,但不能增加布局复杂性,以消除通道与通道之间的差异。为了满足这些不断发展的高频标准的要求,mems开关在负载板设计中提供致密和增强功能,以便执行数字soc测试。
图5.分别使用继电器和adgm1001的环回解决方案比较。
继电器尺寸通常很大,只能提供有限的高频性能。它们利用增强致密来支持更高的频率标准,例如pcie gen 4/5、pam4、usb 4和serdes。大多数继电器的工作频率不超过8 ghz,在高频率下具有很高的插入损耗,会影响信号的完整性并限制测试覆盖范围。
adgm1001简介
adgm1001 spdt mems开关在dc至34 ghz频率范围内提供出色的性能。该技术具有超低寄生效应和宽带宽,开关对高达64 gbps信号的影响很小,并且通道偏斜、抖动和传播延迟都比较低,可实现高保真数据传输。它在34 ghz时提供1.5 db的低插入损耗和3 Ω低ron。它提供69 dbm的良好线性度,可以处理高达33 dbm的rf功率。它采用5 mm × 4 mm × 0.95 mm小型塑料smd封装,提供3.3 v电源和简单的低压控制接口。所有这些特性使adgm1001非常适合ate应用,支持通过单次测试插入实现高速数字测试和dc参数测试,如图4所示。
图6.adgm1001 rf性能。
图7.封装类型:5 mm × 4 mm × 0.9 mm 24引脚lga封装。
adgm1001易于使用,为引脚23提供3.3 v vdd即可运行。但是,vdd可以使用3.0 v至3.6 v电压。开关可以通过逻辑控制接口(引脚1至引脚4)或通过spi接口进行控制。实现器件功能所需的所有无源组件都集成在封装内,易于使用并且节省板空间。图8所示为adgm1001的功能框图。
图8.adgm1001功能框图。
使用adgm1001实现单次插入测试的优势
出色的高速和dc性能: 实现从dc到34 ghz的宽带宽是当今行业面临的挑战。adgm1001的插入损耗、线性度、rf功率处理和ron等关键参数在dc到34 ghz范围内都具有出色的性能。
降低运营费用:
减少硬件数量:单次插入测试只需使用一套测试硬件;因此,用户无需投资购买两套硬件和测试设备,可以大幅降低运营费用。
测试仪的运行时间:与继电器相比,adgm1001支持1亿个循环周期,提供出色的可靠性,可延长测试仪的运行时间,最终降低运营费用。
提高测试吞吐量:adgm1001允许使用单次插入测试,将索引时间减少一半,这会大幅缩短测试时间,提供更高的测试吞吐量和资产利用率。
密集解决方案,面向未来:adgm1001提供更高的致密度和增强功能。mems开关技术提供可靠的路线图,适用于dc至高频运行开关,且与不断发展的技术完全保持一致。
降低组织管理成本:使用单次插入方法时,需要移动的组件数量更少,可以降低组织管理成本和规划难度。
减少组件移动: 使用单次插入测试方法时,dut只需一次插入进行测试,减少了组件移动,最终可降低发生操作错误的几率。
结论
adgm1001正在推动dc至34 ghz开关技术的发展,使得组合使用高速数字和dc参数解决方案进行soc测试成为可能。它有助于缩短测试时间,改善电路板设计布局(实现更高的dut数量和吞吐量),并延长运行时间(提高可靠性)。
adgm1001是adi mems开关系列的新产品,继续推动满足高速soc测试需求。adi公司的mems开关技术拥有可靠的发展路线,支持dc至高频的开关功能,以满足未来的技术需求。请大家持续关注adi mems开关技术的未来更新。


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