随着 5g 的到来,得益于更高频率、更多载波聚合和 mimo技术的推动,射频前端市场高速增长。频段数量的增加及 5g 射频前端的复杂性提升推动了对小型化的需求,高度集成的配置使射频前端比以往更加模块化。 saw、baw 等窄带滤波器技术在 3g、4g 频段如鱼得水,但无法很好的满足 5g 中高频和宽带的需求,相反 ipd 和 ltcc 恰好能够很好地胜任。因此,在 5g 手机射频前端中,需要针对工作频率、性能指标的不同应用要求,合理的选择包括 ipd, ltcc, saw 和baw 在内的多种滤波器技术或其组合,来满足对更高频率、更大带宽以及更佳的插损和带外抑制性能的多样化需求。
那么什么是ipd?集成无源器件 (ipd) 的加工通常采用先进的晶圆制造工艺,包括薄膜工艺和光刻制程等。ipd 制程通常需要高金属导电率和高衬底电阻率来实现高性能无源器件。高加工精度,高良率,成熟稳定的先进晶圆制程使得 ipd 具有众多优点:小尺寸、易于集成、高一致性、低成本、产品链供应和可靠性更好等。作为一项实现小型化低成本无源器件的重要技术,ipd 满足了当前各种无线应用场景对射频前端功能不断增加、集成度不断提高的需求,应用在各种射频无源器件,包括滤波器、双工器、巴伦、耦合器、功分器、衰减器等。
ipd技术,根据制程技术可分为厚膜制程和薄膜制程,其中厚膜制程技术中有使用陶瓷为基板的低温共烧陶瓷ltcc(low temperature co-firedceramics)技术和基于hdi高密度互连的pcb印制电路板埋入式无源元件(embedded passives)技术;而薄膜ipd技术,采用常用的半导体技术制作线路及电容、电阻和电感。下图展示即为ipd滤波器与其它射频滤波器实现形式对比。
如下图即为一款可以应用在5g频段的ipd带通滤波器。
ipd 由于市场空间有限,预计到2025年ipd总体市场规模在6亿美元左右,其中定制化滤波器市场规模为3.6亿美元。总的来说ipd且尚还处于挖掘期,行业参与者有限,目前主要采取 fabless 代工模式,设计端参与者主要包括芯和半导体和卓胜微等,代工厂包括中国台湾联颖等。
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