三星与Synopsys合作实现首次14纳米FinFET成功流片
加利福尼亚州山景城，2013年1月—
亮点：
该里程碑有助于加速对finfet技术的采用，以实现更快和更高能效的系统级芯片（soc）
该合作为3d器件建模和物理设计规则支持奠定了基础
测试芯片验证了finfet工艺和synopsys® designware®嵌入式存储器的成功采用
为芯片和电子系统加速创新提供软件、知识产权（ip）及服务的全球性领先供应商新思科技公司（synopsys， inc.， 纳斯达克股票市场代码：snps）日前宣布：该公司与三星在finfet技术上的多年合作已经实现了一个关键性的里程碑，即采用三星的14lpe工艺成功实现了首款测试芯片的流片。虽然finfet工艺较传统的平面工艺在功耗与性能上明显出超，但从二维晶体管到三维晶体管的转变带来了几种新的ip及eda工具挑战，如建模就是其中的一大挑战。两公司多年的合作为finfet器件的3d寄生参数提取、电路仿真和物理设计规则支持提供了基础性的建模技术。而synopsys的综合解决方案，涵盖嵌入式存储器、物理设计、寄生参数提取、时序分析及签核（signoff），全部构建于双方合作成果的基础之上。
“finfet晶体管可以实现更低的功耗和更高的器件性能，但是它们也同时带来了严峻的挑战，”三星电子器件解决方案部负责系统lsi底层架构设计中心的副总裁kyu-myung choi博士说道。“我们之所以选择synopsys作为我们的finfet技术合作伙伴来解决这些挑战，是因为我们在20纳米和其它节点上的成功合作记录。我们将继续汇聚我们的专有技术来提供创新的finfet解决方案。”
synopsys的具备finfet能力的ip
synopsys与三星通过紧密合作开发了一款测试芯片，它可以用来验证三星先进的14纳米finfet工艺以及synopsys的designware嵌入式存储器，后者采用了synopsys 的star（自测试和自修复）存储系统解决方案。该测试芯片实现了仿真模型与finfet工艺的相互关联，同时包含了测试结构、标准单元、一个锁相环（pll）以及多个嵌入式sram。存储器实体包括专为在非常低的电压下运行而设计的高密度sram和可验证工艺性能的高速sram。
synopsys面向finfet工艺的设计工具
从平面到基于finfet的3d晶体管的转变是一项重大改变，它需要工具开发商、晶圆代工厂和早期采用者之间紧密的技术协作，以提供一种强大的解决方案。synopsys的高精确度建模技术为具备finfet的galaxy™ implementation platform实现平台奠定了基础。该平台包括ic compiler™物理设计、ic validator物理验证、starrc™寄生参数提取、siliconsmart特征描述、用于fastspice仿真的customsim™和finesim以及hspice®器件建模和电路仿真。
“三星电子一直是我们共同投入和投资的一个核心伙伴，共同致力于为finfet技术开发完整的解决方案，” synopsys高级副总裁兼设计实现部总经理antun domic说道。“synopsys与三星的广泛合作使我们能够提供业内顶级的技术和ip，以帮助设计师们实现finfet晶体管设计的全部潜在优势。”
关于synopsys
synopsys加速了全球电子市场中的创新。作为一家电子设计自动化（eda）和半导体ip领域内的领导者，其软件、ip和服务帮助工程师应对设计、验证、系统和制造中的各种挑战。自1986年以来，全世界的工程师使用synopsys的技术已经设计和创造了数十亿个芯片和系统。
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“finfet晶体管可以实现更低的功耗和更高的器件性能，但是它们也同时带来了严峻的挑战，”三星电子器件解决方案部负责系统lsi底层架构设计中心的副总裁kyu-myung choi博士说道。“我们之所以选择synopsys作为我们的finfet技术合作伙伴来解决这些挑战，是因为我们在20纳米和其它节点上的成功合作记录。我们将继续汇聚我们的专有技术来提供创新的finfet解决方案。”
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关于synopsys
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