sandisk(闪迪)宣布,已于去年底开始投产19nm新工艺的nand闪存芯片,并对此工艺所能带来的更好性能、更低成本寄予厚望。
sandisk ceo sanjay mehrotra在财务会议期间对分析人士表示:“我们在(2011年)第四季度开始了19nm技术(nand闪存芯片)的生产,将在2012年全面量产。”
他同时也强调了新工艺面临的难题,那就是技术难度日渐提高,对节约成本的贡献却没那么大了:“正如我们之前解释过的,nand闪存工艺越来越复杂,技术转换所带来的成本节省幅度也越来越小。19nm所能产生的成本降低幅度就会低于24nm。”
据披露,sandisk正在使用19nm工艺制造2bpc mlc nand、3bpc tlc nand闪存芯片。具体良品率未公开,只是说正在按预期增加sandisk的容量产能。
sanjay mehrotra也承认,tlc nand闪存目前并不适合商业关键企业应用,而是更适用于消费级固态硬盘。这也和ocz的看法不谋而合。
他说:“我们会寻求将3bpc用在消费级固态硬盘上的机会。企业固态硬盘上,我认为仍将完全是2bpc的天下,毕竟企业应用都需要高性能、高可靠性。”
sandisk 2011年第四季度收入15.77亿美元(按照gaap),毛利润6.62亿美元,营业利润4.16亿美元,同比分别增长18.8%、14.9%、16.5%;全年收入56.62亿美元,毛利润24.39亿美元,营业利润15.30亿美元,分别同比增长17.3%、7.8%、4.7%。
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