SK海力士公司宣布将主要应用于3D闪存的CTF结构与PUC技术结合起来
11月4日，sk海力士公司宣布，“公司将主要应用于3d闪存的ctf结构与puc技术结合起来，在上月领先全球率先研发出96层512gbit的4d nand闪存半导体，计划在今年年内进行第一批量产”。96层nand闪存是目前性能最强的nand闪存半导体。
之所以称之为4d nand是因为它是将3d nand使用的电荷撷取闪存(ctf，charge trap flash)结构与外围电路(puc，peri under cell)构造结合起来开发出的新技术。puc技术将用来驱动晶胞的周边电路堆叠在储存数据的晶胞阵列下方，相当于将公寓楼(nand闪存)所需要的停车场从公寓旁边改建到了地下空间，从而提高了空间使用效率。
4d nand半导体体积比目前的72层512gbit 3d nand闪存缩小了30%以上，可以搭载到智能手机移动零部件之中，每张面板可以生产的记忆容量(bit)提升1.5倍，可同时处理的数据量更是提升一倍至业界最高水平的64kb，一个新的芯片产品可以取代2个原来的256gbit 3d nand闪存。sk海力士强调，“新芯片的读写能力分别比现在的72层产品提高了30%和25%”。
sk海力士的4d nand闪存首先会量产tlc类型的，核心容量分别是512gbt、1tb，都是96层堆栈，io接口速度1.2gbps，不过两者的bga封装面积是不一样的，1tb版显然更大一些。
至于qlc类型的，这个未来会是sk hynix量产的重点，核心容量1tb，但量产时间会在明年下半年，还需要一些时间。
4d nand闪存主要生产基地就是刚刚落成的m15工厂，总投资高达15万亿韩元，约合135亿美元。
sk海力士能否凭借新产品在竞争力相对弱势的nand闪存市场站稳脚跟并争取nand闪存市场的主导权，倍加受人关注。sk海力士在全球d-ram市场仅次于三星电子排名第二，但在nand闪存市场却以大约10%的份额之差排在三星电子、东芝、西部数据之后，排名第四。在去年sk海力士的销售额中，nand闪存所占比重保持在22%左右，而在今年上半年，这一比例下降到了18%。
此外，随着半导体存储器的供应增加和需求停滞，nand闪存半导体的价格在今年下降了9%以上，进一步助推了“半导体危机论调”。sk海力士计划通过扩大新产品的供应打破这样的危机论调。
sk海力士首先计划在年内推出搭载4d nand闪存的1tb容量固态硬盘(ssd)。sk海力士公司常务金正泰表示，“搭载ctf技术的96层4d nand闪存拥有业界最顶级的性能和成本优势，我们正利用这一技术研发新一代128层4d nand闪存”。
sk海力士的4d nand闪存将带给市场怎样的惊喜，非常值得期待。
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