快速 60V 保护的高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器提供 100% 占空比能力
加利福尼亚州米尔皮塔斯 （milpitas， ca） 和马萨诸塞州诺伍德 （norwood， ma） – 2017 年 7 月 13 日 – 亚德诺半导体 （analog devices， inc.，简称 adi） 旗下凌力尔特公司 （linear technology corporation） 推出高速、高压侧 n 沟道 mosfet 驱动器 ltc7003，该器件可采用高达 60v 的电源电压工作。其内部充电泵全面增强了外部 n 沟道 mosfet 开关，从而使其能够无限期地保持导通。ltc7003 强大的 1ω 栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟非常容易地驱动大的栅极电容 mosfet，因此非常适合高频开关和静态开关应用。
ltc7003 在 3.5v 至 60v （65v 绝对最大值） 输入电源范围内运行，具 3.5v 至 15v 驱动器电源范围。该器件通过监视外部检测电阻器两端的电压来检测过流情况，这个电阻器与外部 mosfet 开关的漏极串联。当 ltc7003 检测到开关电流已经超过预设值时，就确定一个故障标记，开关则关断一段时间，关断时间长短由一个外部定时电容器设定。经过预定冷却时间之后，ltc7003 自动重试。
ltc7003 用来接收一个以地为基准的低压数字输入信号，并快速地驱动一个高压侧 n 沟道功率 mosfet，该 mosfet 的漏极可比地高 60v。当驱动一个 1000pf 负载时，快速 13ns 上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。ltc7003 具可调电流限制、电流监视输出以及可调过压闭锁和使能输入。
ltc7003 采用 msop-16 封装。可提供 3 种工作结温级版本，扩展和工业温度级版本的温度范围为 –40°c 至 125°c，高温汽车级版本的温度范围为 –40°c 至 150°c，而军用温度级版本的温度范围则为 –55°c 至 150°c。千片批购价为每片 2.30 美元。如需更多信息，请登录 。
照片说明：
60v 高压侧 n 沟道 mosfet 栅极驱动器
性能概要： ltc7003 · 宽 vin 工作范围：3.5v 至 60v （65v 绝对最大值）
· 内部充电泵提供 100% 占空比能力
· 1ω 下拉、2.2ω 上拉实现快速接通和关断时间
· 快速 35ns 传播延迟
· 短路保护
· 自动重启定时器
· 开漏故障标记
· 可调接通和关断转换速率
· 栅极驱动器电源范围为 3.5v 至 15v
· 可调电流限制
· 电流监视器输出
· 可调输入欠压和过压闭锁
· 低停机电流：1µa
· cmos 兼容型输入
本文给出的报价仅供预算之用。各地报价可能因当地关税、各种税款、费用以及汇率不同而有所分别。
3月10日，adi完成对卓越的高性能模拟集成电路公司凌力尔特之收购。收购凌力尔特之后，adi 进一步增强了技术实力。有关此次收购的详情，请登录http://lt.linear.com/07c。
adi 公司简介 analog devices （纳斯达克股票代码：adi） 是全球领先的高性能模拟技术公司，致力于解决最棘手的工程设计难题。我们使客户能够利用无与伦比的技术进行检测、测量、供电、连接和解读，智能地在现实和数字领域之间架起桥梁，从而了解我们周围的世界。详情请浏览 www.analog.com/cn。
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ltc7003 用来接收一个以地为基准的低压数字输入信号，并快速地驱动一个高压侧 n 沟道功率 mosfet，该 mosfet 的漏极可比地高 60v。当驱动一个 1000pf 负载时，快速 13ns 上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。ltc7003 具可调电流限制、电流监视输出以及可调过压闭锁和使能输入。
ltc7003 采用 msop-16 封装。可提供 3 种工作结温级版本，扩展和工业温度级版本的温度范围为 –40°c 至 125°c，高温汽车级版本的温度范围为 –40°c 至 150°c，而军用温度级版本的温度范围则为 –55°c 至 150°c。千片批购价为每片 2.30 美元。如需更多信息，请登录 。
照片说明：
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