一款ISSI具有ECC的1Mx8高速异步SRAM的一些特征知识
美国issi存储器公司的主要产品是高速低功耗sram芯片和中低密度dram芯片。该公司还设计和销售nor闪存存储器产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。近年来对复杂半导体存储器的需求已从个人计算机市场扩展到了汽车，通信和数字消费以及工业和医疗市场。这些存储产品需要增加内存内容，以帮助处理大量数据。issi代理商宇芯电子为广大用户提供产品解决方案及技术方面支持。接下来介绍一款issi具有ecc的1mx8高速异步sram的一些特征方面知识。
issi is61/64wv10248edbll是非常高速，低功耗的1m字乘8位高速异步sram。is61/64wv10248edbll采用issi的高性能cmos技术制造，这种高度可靠的工艺技术与创新的电路设计技术相结合，可生产出性能更高且功耗更低的器件。当ce为高电平（取消选择）时，器件采用待机模式，在该模式下可以通过cmos输入电平来降低功耗。
is61/64wv10248edbll采用单电源进行供电，所有输入均兼容ttl。is61wv10248edbll采用48球微型bga（6mmx8mm）和44引脚tsop（ii型）封装。
功能框图
特征：高速访问时间：8、10、20ns；高性能，低功耗cmos工艺；多个中心电源和接地引脚，增强了抗噪能力；通过ce和oe选项轻松扩展内存；ce掉电；完全静态操作：无需时钟或刷新；ttl兼容输入和输出；可用软件包：48球mini bga（6mmx8mm），–44引脚tsop（ii型）；工业和汽车温度支持；无铅。
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is61/64wv10248edbll采用单电源进行供电，所有输入均兼容ttl。is61wv10248edbll采用48球微型bga（6mmx8mm）和44引脚tsop（ii型）封装。
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